技术参数-EDA365

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D45VH10G的技术参数

产品型号:D45VH10G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:83...

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发布时间：2021-06-30

D45H11G的技术参数

产品型号:D45H11G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:50...

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发布时间：2021-06-30

D44H11G的技术参数

产品型号:D44H11G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:50...

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发布时间：2021-06-30

PGA203KP的技术参数

产品型号:PGA203KP可选择增益:1,2,4,8非线性度(±)(Max.)(%):0.012输入失调电压(±)(Max.)(uV):1000+12000/G失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):12+120/G增益误差(±)(Max.)(%):0.150共模抑制比CMRR(Min.)(dB):92输入偏置电流...

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发布时间：2021-06-30

BD140G的技术参数

产品型号:BD140G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):1.500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:...

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发布时间：2021-06-30

D45H8的技术参数

产品型号:D45H8类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):10集电极最大持续电流IC(Max)(A):60直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50功率耗散PD(W)@25℃:40封...

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发布时间：2021-06-30

INA132U的技术参数

产品型号:INA132U增益(V/V):1共模输入范围(Min.)(V):+28,-15输入失调电压Max.)(uV):250输入失调电压漂移(Max.)(uV/℃):5共模抑制比(Min.)(dB):76小信号带宽(典型值)(KHz):0.300转换速率(典型值)(V/us):0.100静态电流(...

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发布时间：2021-06-30

INA141UA的技术参数

产品型号:INA141UA输入类型:Bipolar增益范围(V/V):10100非线性度(±)(Max.)(%):0.002输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):50输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.500共模抑制比(Min.)(dB):117输入偏置电流(±)(Max.)(nA):5噪...

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发布时间：2021-06-30

DTC143TET1G的技术参数

产品型号:DTC143TET1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯片上标识:8J封装/温度(℃):SOT-416/-55~150价格/1片(套):￥.22...

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发布时间：2021-06-30

DTC143TM3T5G的技术参数

产品型号:DTC143TM3T5G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯片上标识:8F封装/温度(℃):SOT-723/-55~150价格/1片(套):暂无...

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