技术参数-EDA365

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TPS2015P的技术参数

产品型号:TPS2015PFET数:1输入电压最小值(V):4输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):1.100每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):75静态电流典型值(μA):73过流报告功能:Yes过热报告功能:No封装/温度(℃):8PDIP/0~85描...

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发布时间：2022-03-21

TPS2112PW的技术参数

产品型号:TPS2112PW输入数:2输入电压最小值(V):2.800输入电压最大值(V):5.500IN1rDS(on)(mΩ):120IN2rDS(on)(Ω):0.120IN1输出电流最大值(A):0.750IN2输出电流最大值(A):0.750封装/温度(℃):8TSSOP/-40~85描述:双入/单...

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发布时间：2022-03-18

TPS2022P的技术参数

产品型号:TPS2022PFET数:1输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):1.100每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):33静态电流典型值(μA):73过流报告功能:Yes过热报告功能:Yes封装/温度(℃):8PDIP/-...

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发布时间：2022-03-18

TPS2014P的技术参数

产品型号:TPS2014PFET数:1输入电压最小值(V):4输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):0.660每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):75静态电流典型值(μA):73过流报告功能:Yes过热报告功能:No封装/温度(℃):8PDIP/0~85描...

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发布时间：2022-03-18

TPS2044D的技术参数

产品型号:TPS2044DFET数:4输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):0.700每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):80静态电流典型值(μA):160过流报告功能:Each过热报告功能:Yes封装/温度(℃):16SOI...

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发布时间：2022-03-18

TPS2042AD的技术参数

产品型号:TPS2042ADFET数:2输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):0.700每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):80静态电流典型值(μA):80过流报告功能:Each过热报告功能:Yes封装/温度(℃):8SOIC...

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发布时间：2022-03-18

TPS2062D的技术参数

产品型号:TPS2062DFET数:2使能/关断电平:2L输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500电流限制最小值(A):0.500每个FET导通电阻(mΩ):75静态电流(uA):1过流保护:YES过温保护:YES封装/温度(℃):8SOIC/-40~85描述:1...

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发布时间：2022-03-18

TPS2010D的技术参数

产品型号:TPS2010DFET数:1使能/关断电平:1L输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500电流限制最小值(A):0.220每个FET导通电阻(mΩ):30静态电流(uA):73过流保护:NO过温保护:NO封装/温度(℃):8SOIC/0~70描述:0.4A...

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发布时间：2022-03-18

TPS2013D的技术参数

产品型号:TPS2013DFET数:1输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):1.650每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):75静态电流典型值(μA):73过流报告功能:No过热报告功能:No封装/温度(℃):8SOIC/-40...

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发布时间：2022-03-18

TPS2010AD的技术参数

产品型号:TPS2010ADFET数:1使能/关断电平:1L输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500电流限制最小值(A):0.220每个FET导通电阻(mΩ):75静态电流(uA):73过流保护:NO过温保护:NO封装/温度(℃):8SOIC/0~70描述:0.4...

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发布时间：2022-03-18

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