技术参数-EDA365

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MCP6S26-I/ST的技术参数

产品型号:MCP6S26-I/ST接口:SPI转换通道:6-3 dB带宽(MHz):2 ~ 12增益幅度(V/V):1,2,4,5,8,10,16,32工作电流(mA):1.100工作电压(V):2.5 ~ 5.5输入偏置电压Vos(uV):150噪音:10VREF(脚):Yes封装/温度(℃):TSSOP-14/-40~8...

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发布时间：2021-06-30

2N6034G的技术参数

产品型号:2N6034G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):40集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2总功耗PD(W):40封装/温度(℃):TO...

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发布时间：2021-06-30

BC372G的技术参数

产品型号:BC372G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):1000直流电流增益hFE最小值(dB):10000直流电流增益hFE最大值(dB):160000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100总功耗PD(W):-封...

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发布时间：2021-06-30

2N6045G的技术参数

产品型号:2N6045G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB):10000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):4总功耗PD(W):75封装/温度...

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发布时间：2021-06-30

BD682G的技术参数

产品型号:BD682G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-总功耗PD(W):40封装/温度(℃):...

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发布时间：2021-06-30

D45C12G的技术参数

产品型号:D45C12G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40功率耗散PD(W)@25℃:30...

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发布时间：2021-06-30

INA327EA/250的技术参数

产品型号:INA327EA/250输入类型:CMOS增益范围(V/V):0.1~10000非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):100输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.400共模抑制比(Min.)(dB):100输入偏置电流(±)(Max.)(nA...

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发布时间：2021-06-30

BSV52LT1G的技术参数

产品型号:BSV52LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):12集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):400功率耗散PD(W)@...

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发布时间：2021-06-30

INA326EA/250的技术参数

产品型号:INA326EA/250输入类型:CMOS增益范围(V/V):1~10000非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV/℃):100输入失调电压漂移(±)(Max.)(uV/℃):0.400共模抑制比(Min.)(dB):100输入偏置电流(±)(Max.)(nA):...

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发布时间：2021-06-30

2N6043G的技术参数

产品型号:2N6043G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB):10000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):4总功耗PD(W):-封装/温度(...

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