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技术参数
NCP2820FCT1G的技术参数
产品型号:NCP2820FCT1G级别:Class D拓扑:BTL输出功率:2.65W功率供给抑制比PSRR:65dB典型效率:0.900封装/温度(℃):Micro Bump-9/-40~85描述:单通道音频放大器价格/1片(套):¥7.20...
技术百科
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技术参数
NCP2820FCT1G
发布时间:2021-06-29
NCP4896FCT1G的技术参数
产品型号:NCP4896FCT1G级别:Class AB拓扑:Single End/Differential输出功率:1W(speaker)250mW(earpiece)功率供给抑制比PSRR:70dB典型效率:0.640封装/温度(℃):Flip Chip-9/-40~85描述:立体声单端/差动音频放大器价格/...
技术百科
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技术参数
NCP4896FCT1G
发布时间:2021-06-29
MJE802G的技术参数
产品型号:MJE802G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):1总功耗PD(W):40封装/温度(℃):3...
技术百科
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技术参数
MJE802G
发布时间:2021-06-29
MJ11021G的技术参数
产品型号:MJ11021G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):400最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3总功耗PD(W):175封装/温度...
技术百科
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技术参数
MJ11021G
发布时间:2021-06-29
2N6284G的技术参数
产品型号:2N6284G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):20直流电流增益hFE最小值(dB):750直流电流增益hFE最大值(dB):18000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):4总功耗PD(W):160封装/温...
技术百科
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技术参数
2N6284G
发布时间:2021-06-29
2N6040G的技术参数
产品型号:2N6040G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB):10000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):4总功耗PD(W):-封装/温度(...
技术百科
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技术参数
2N6040G
发布时间:2021-06-29
BC846BM3T5G的技术参数
产品型号:BC846BM3T5G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):65集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):450最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100功率耗散PD(W...
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技术参数
BC846BM3T5G
发布时间:2021-06-29
2N6609G的技术参数
产品型号:2N6609G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):140集电极最大持续电流IC(Max)(A):16直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):60最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):4功率耗散PD(W)@25℃:150...
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2N6609G
发布时间:2021-06-29
SA5534ADR2G的技术参数
产品型号:SA5534ADR2G工作电压Min.(V):±3.0工作电压Max.(V):±20带宽GBW(典型值)(MHz):10转换速率(典型值)(V/us):13输入失调电压(25℃,Max.)(mV):4输入偏置电流(Max.)(nA):500最大工作电流ID(mA):4共模抑制比(Min.)(dB...
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技术参数
SA5534ADR2G
发布时间:2021-06-29
SA5532NG的技术参数
产品型号:SA5532NG工作电压Min.(V):±3.0工作电压Max.(V):±20带宽GBW(典型值)(MHz):10转换速率(典型值)(V/us):9输入失调电压(25℃,Max.)(mV):4.0@±15V输入偏置电流(Max.)(nA):200最大工作电流ID(mA):8共模抑制比(Min.)...
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技术参数
SA5532NG
发布时间:2021-06-29
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