技术参数-EDA365

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PS5W12D12U-EVB的技术参数

产品型号:PS5W12D12U-EVB输入电压(交流AC.直流DC):85-265AC或120-375DC输出电压(V):+12.0±2%, -12.0±8%输出电流(mA):220 220隔离电压:2500Vrms特点:输出短路保护,小体积尺寸(L×W×Hmm):66×33×22裸板价格/1片(套):￥3...

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发布时间：2021-08-05

PS12W5T12T24TS-EVB的技术参数

产品型号:PS12W5T12T24TS-EVB输入电压(交流AC.直流DC):165-265AC或234-375DC输出电压(V):5.0/12.0/24.0输出电流(mA):1000/400/200隔离电压:2500Vrms特点:输出短路保护,小体积尺寸(L×W×Hmm):86×65×30裸板价格/1片(套...

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发布时间：2021-08-05

PS12W5S-EVB的技术参数

产品型号:PS12W5S-EVB输入电压(交流AC.直流DC):165-265AC或234-375DC输出电压(V):+5.0±2%输出电流(mA):2400隔离电压:2500Vrms特点:输出短路保护,小体积尺寸(L×W×Hmm):66×33×27裸板价格/1片(套):￥37.00...

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发布时间：2021-08-05

NTD14N03R的技术参数

产品型号:NTD14N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117最大漏极电流Id(on)(A):14通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:14A,25V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60...

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发布时间：2021-08-05

MBRD340T4G的技术参数

产品型号:MBRD340T4G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):75瞬间反转电流IR(max)(mA):0.200封装/温度(℃):DPAK/150(M...

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发布时间：2021-08-05

MBRD320T4的技术参数

产品型号:MBRD320T4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):75瞬间反转电流IR(max)(mA):20@125℃封装/温度(℃):3DPAK/-65...

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发布时间：2021-08-05

PSD313B-90JI的技术参数

产品型号:PSD313B-90JI速度(ns):90数据总线:16/8EPROM(位):1024KSRAM(位):16KPLD输入:16PLD乘积项:40CPLD宏单元:-PLD输出:11定时器计数器:-中断:-加密特性:√封装/温度(℃):44PLCC/-40~85价格/1片(套):￥98.00...

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发布时间：2021-08-05

PSD813F1V-A-15J的技术参数

产品型号:PSD813F1V-A-15J速度(ns):150电压(v):3.300I/O:27FLASH(位):1MEEPRPM(位):256k第二个FLASH(位):-SRAM(位):16kPLD输入:73宏单元输入/输出:24/16JTAG/ISP:√加密特性:√Turbo方式:-封装/温度(℃):52PLCC/0~70...

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发布时间：2021-08-05

PSD813F1A-15J的技术参数

产品型号:PSD813F1A-15J速度(ns):150电压(v):5I/O:27FLASH(位):1MEEPRPM(位):256k第二个FLASH(位):-SRAM(位):16kPLD输入:73宏单元输入/输出:24/16JTAG/ISP:√加密特性:√Turbo方式:-封装/温度(℃):52PLCC/0~70价格/1...

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发布时间：2021-08-05

PSD4235G2-90UI的技术参数

产品型号:PSD4235G2-90UI速度(ns):90电压(v):5I/O:52FLASH(位):4MEEPRPM(位):-第二个FLASH(位):256kSRAM(位):64kPLD输入:82宏单元输入/输出:24/16JTAG/ISP:√加密特性:√Turbo方式:√封装/温度(℃):80TQFP/-40~85价格/1...

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