技术参数-EDA365

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MGSF1N03LT1G的技术参数

产品型号:MGSF1N03LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145最大漏极电流Id(on)(A):2.100通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:2.1A,30V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥1...

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发布时间：2021-08-04

BSS84LT1G的技术参数

产品型号:BSS84LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):50源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000最大漏极电流Id(on)(A):0.130通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-23/-55~150描述:小信号P沟道SOT23封装场效应管价格/1片(套):￥.70...

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发布时间：2021-08-04

BSS138LT1的技术参数

产品型号:BSS138LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):50源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500最大漏极电流Id(on)(A):0.200通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-23/-55~150描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管价格/1片(套):￥.60...

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发布时间：2021-08-04

BS170RLRAG的技术参数

产品型号:BS170RLRAG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000最大漏极电流Id(on)(A):0.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-92/-55~150描述:小信号N沟道TO92封装场效应管价格/1片(套):￥1.24...

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发布时间：2021-08-04

BS108ZL1G的技术参数

产品型号:BS108ZL1G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10000最大漏极电流Id(on)(A):0.250通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-92/-55~150描述:小信号N沟道TO92封装场效应管价格/1片(套):￥1.36...

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发布时间：2021-08-04

MURH860CTG的技术参数

产品型号:MURH860CTG峰值反向电压VRRM(V):600最大平均正向电流IO(A):8最大全周期正向压降VF(V):2.800最大非重复浪涌电流IFSM(A):100最大反向电流IR(mA):0.500封装/温度(℃):TO-220AB/-65~175价格/1片(套):￥7.40...

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发布时间：2021-08-04

MURH840CTG的技术参数

产品型号:MURH840CTG峰值反向电压VRRM(V):400最大平均正向电流IO(A):8最大全周期正向压降VF(V):2.200最大非重复浪涌电流IFSM(A):100最大反向电流IR(mA):0.500封装/温度(℃):TO-220AB/-65~175价格/1片(套):￥7.40...

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发布时间：2021-08-04

CY8C27543-24AXI的技术参数

产品型号:CY8C27543-24AXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:40封装/温度(℃):44TQFP/-40~85价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-08-04

CY8C27443-24PVXI的技术参数

产品型号:CY8C27443-24PVXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:24封装/温度(℃):28(210 Mil)SSOP/-40~85价格/1片(套):暂...

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发布时间：2021-08-04

CY8C27243-24SXI的技术参数

产品型号:CY8C27243-24SXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:16封装/温度(℃):20(300 Mil)SOIC/-40~85价格/1片(套):暂...

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发布时间：2021-08-04

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