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技术探讨
压敏电阻的先择与使用
压敏电阻的测量: 压敏电阻一般并联在电路中使用.当电阻两端的电压发生急剧变化时.电阻短路将电流保险丝熔断.起到保护作用.压敏电阻在电路中.常用于电源过压保护和稳压.测量时将万用表置10k档.表笔接于电阻两...
分离器件设计
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压敏电阻
使用
技术探讨
发布时间:2020-05-23
安森美推出两款新的MOSFET器件使电池使用时间提升至极致
2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN) 推出两款新的MOSFET器件.用于智能手机及平板电脑应用.作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分.EFC660...
分离器件设计
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MOSFET
器件
安森美
技术探讨
发布时间:2020-05-23
功率放大电路的关键问题
电压放大与电流放大制作电压放大级.通常可用共发射极或共基极以及源接地或栅接地的有电压增益的电路.这些电路仅进行电压放大.因电路的电流小.故没有发热的问题.在制作电流放大级时.要对电压放大级放大后的电平...
分离器件设计
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功率放大电路
技术探讨
发布时间:2020-05-23
士兰微电子推出新一代高压MOSFET F-Cell系列
士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品--F-CellTM系列高压MOSFET.这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品.工作电压可以覆盖400V-900V区间.工作电流在1A-18A之间.可以兼容多晶稳压管结...
分离器件设计
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MOSFET
技术探讨
发布时间:2020-05-23
中国半导体中小企业迈入发展十字路口
喧喧闹闹的第十三届高交会已经结束了.在展会期间.记者走访了2号馆十几家国内的半导体企业.感受最深的就是这些企业已经发展到了一个新的阶段.正在从国内一流向国际一流的方向转变.广州番禺奥迪威董事长张曙光的...
分离器件设计
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半导体
中国
技术探讨
中小企业
发布时间:2020-05-23
元器件常识:集成电路的种类与用途
在电子行业.集成电路的应用非常广泛.每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来.本文将对集成电路的知识作一全面的阐述. 一.集成电路的种类 集成电路的种类很多.按其功能不同可分为模拟...
分离器件设计
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集成电路
元器件
技术探讨
发布时间:2020-05-23
Vishay推出通过JAN认证的N沟道功率MOSFET
采用密封TO-205AD封装的军用级器件具有低导通电阻和快速开关性能宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 10 月31 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布. Vishay Siliconix推出新款n沟道功率M...
分离器件设计
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Vishay
认证
技术探讨
通过
发布时间:2020-05-21
Vishay推出采用3232外形尺寸的IHLP家族
IHLP-3232DZ-01具有4.0mm的超低高度.感值从0.22µH至10.0µH.最大DCR低至1.68mΩ宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 6 月 24 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用3232外形尺寸...
分离器件设计
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Vishay
采用
技术探讨
发布时间:2020-05-21
Vishay发布全新集成式光学传感器演示套件
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布用于VCNL4000全集成式接近和环境光光学传感器的新款演示套件.演示套件中的VCNL4000安装在一块PCB板上.并配有USB接口和的演示软件.使设计者不...
分离器件设计
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Vishay
集成
技术探讨
发布时间:2020-05-21
Vishay发布新型Hyperfast和Ultrafast整流器
器件采用6种功率封装.提供4个不同的正向电压降与反向恢复时间的折中选项 宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 6 月 30 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布34款采用6种功率封装...
分离器件设计
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Vishay
整流器
新型
技术探讨
发布时间:2020-05-21
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第26届高交会元宇宙完美收官,数字化参会体验引爆全场
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