研发资源 > 标签 > 英飞凌

英飞凌推出200V和250V快速二极管

 2014年3月14日--英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX / 美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)近日推出200V和250V OptiMOSTM FD.进一步完善了中压产品组合.作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出650V高性能IGBT TRENCHSTOP5

 英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT--650V TRENCHSTOP52013年6月19日.上海讯--英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子.智能运动.可再生能源管理展览会上突出展...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出具备低动态电阻和超低电容的TVS器件

 2013年6月5日.德国纽必堡讯--英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件.ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT

 新型IGBT将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平. 德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT.此类IGBT 专门针对 50Hz 至20...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出第三代高速 IGBT 打破开关和效率界限

 英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列.该系列经过优化.适用于高频和硬开关应用.在降低开关损耗.实现出类拔萃的效率方面.树立了行业新标杆.并可满足开关频率高达100 kHz的应用需...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出第二代 ThinQ! 碳化硅肖特基二极管

 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管.新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能.而且采用全隔离封装.无需使用隔...
发布时间：2020-05-23

英飞凌推出适用于节能家电的600V RC IGBT驱动

 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列.全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导通).可使变频电机设计更加经济高效.从而确保采用多个电机的...
发布时间：2020-05-23

英飞凌新推出加固型TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT

 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新S5系列.进一步增强其IGBT的性能.全新推出的这个产品系列立足于超薄晶圆TRENCHSTOP™ 5 IGBT.专门针对开关频率高达40kHz的工业设备的交流-直流电力转换装置...
发布时间：2020-05-23

英飞凌与博世等在功率半导体领域合作

 英飞凌科技股份公司近日宣布.其在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一.据IMS Research公司2009年发布的功率半导体分立器件和模块全球市场报告称.2008年.此类器件的全球市场增长了1.5%....
发布时间：2020-05-23

英飞凌和松下联合开发GaN技术

 英飞凌和松下日前签署一项合作.联合开发GaN器件.该产品是基于松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合. 日前.公司将率先推出600V 70mΩ的样片.采用DSO封装. 作为下一代重要的半导体技术.GaN...
发布时间：2020-05-23
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