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MOSFET
Vishay发布助客户进一步节约器件占位空间和系统成本的解决方案的视频教程
日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本.该公司在其网站(/zixunimg/eepwimg/www.vishay.com)上新增了一个流媒...
电源应用
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MOSFET
转换器
dc-dc
发布时间:2021-03-10
英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布.两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议....
电源应用
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MOSFET
半导体
发布时间:2021-03-09
飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布.两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙...
电源应用
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MOSFET
dc-dc
发布时间:2021-03-09
Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN.在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中.该器件的导通电阻是最...
电源应用
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MOSFET
PowerPAK
发布时间:2021-03-09
飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布.两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙...
电源应用
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MOSFET
半导体
发布时间:2021-03-09
IR 推出新型25V DirectFET 芯片组
国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbFDirectFETMOSFET芯片组.为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器.台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率....
电源应用
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MOSFET
芯片
IR
发布时间:2021-03-09
CISSOID 推出了新系列高温小信号晶体管
高温半导体方案的领导者CISSOID推出了新产品的行星家族高温晶体管和开关.汞是一种高温 80V 的小信号 N 沟道 MOSFET 晶体管.其保証的工作温度範围为摄氏负 55 度至 225 度.凭藉其极端温度的鲁棒性.其输入电容...
接口
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晶体管
MOSFET
发布时间:2021-03-04
功率半导体充当节能先锋 中国企业加快步伐
过去.人们常把集成电路比作电子系统的大脑.而把功率半导体器件比作四肢.因为集成电路的作用是接受和处理信息.而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率.去驱动相关电机进行所需的工作.如今.新型功率半导...
电源应用
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MOSFET
功率半导体
发布时间:2021-03-04
Fairchild推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS
飞兆半导体公司 (FairchildSemiconductor)为电源.照明.显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品.包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N.FCPF22N60NT 和 FCA22N60N.以及具有199mΩ...
电源应用
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MOSFET
半导体
发布时间:2021-03-03
IR推出基准工业级30V MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET.为不间断电源 (UPS) 逆变器.低压电动工具.ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅...
电源应用
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MOSFET
ups
IR
沟道
发布时间:2021-03-03
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