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MOSFET驱动器及功耗计算介绍

我们先来看看MOS关模型:Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的.其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定.Cgd:是两个不同作用的结果.第一JFET区域和门电极的重叠.第二是耗尽区电容(非线性)....

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

Cypress PSoC 1在步进电机驱动器中的应用

基于PSoC1的步进电机控制方案利用PSoC1系列芯片中的可编程模拟单元可实现对步进电机的高细分数和精确的正弦波形控制.图1为利用PSoC1实现以上步进电机驱动器方案电路图.只需一个芯片.就可实现可编程模拟电路.例如...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

功率元器件应用秘诀.采用专用MOSFET提高效率

新的MOSFET将瞄准多个市场.包括直流对直流(DC-DC).离线交流对直流(AC-DC).电机控制.不断电系统(UPS).太阳能逆变器(Inverter).焊接.钢铁切割.开关电源(Switched-mode Power Supply. SMPS).太阳能...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

摘要:先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能. 本文介绍一种新开发的平面MOSFET-UniFETTM II MOSFET-具有显著提高的体二极管特性.另外还介绍了其性能和效率. 根据寿命控制...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

可编程大电流热插拔控制

电路热插拔控制的目的是为了在一块正在工作的电路板上添加或[插入"一块未通电的电路板.不会中断原电路板正在进行的工作状态.并且同时启动添加到系统中的那块电路板的有序上电.主要目的是为了当电流转入一块插入到...

嵌入式开发

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发布时间：2020-07-07

MOSFET双峰效应的评估方法简介

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成.自从在1960年首次证明后.MOSFET快速的发...

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发布时间：2020-07-07

MOSFET驱动器及功耗计算方法

我们先来看看MOS关模型:Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的.其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定.Cgd:是两个不同作用的结果.第一JFET区域和门电极的重叠.第二是耗尽区电容(非线性)....

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发布时间：2020-07-07

包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言散热器在计算时会出现误差.一般说来主要原因是很难精确地预先知道功率损耗.每只器件的参数参差不齐.并不是一样的.而且在芯片上各处的温度也是不同的.结果是.安全的裕度可能离开最优值很远.现在出现了...

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发布时间：2020-07-07

关于MOS管失效.说白了就这六大原因

MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管.或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体.MOS管的source和drain是可以对调的.他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下.这个两个...

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发布时间：2020-07-07

双栅极SET与MOSFET的混合特性

双栅极SET与MOSFET的混合特性由SET的周期振荡特性和MOSFET的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路[8].它是构成逻辑门电路的基本单元.如图2 所示.图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET.MOSFET 和...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

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