MOSFET-EDA365

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求解每个热源功率损耗的新方法

一引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数.可以测量出这些特征参数.并用下面的直观方式进行表达: 效率 = 输出功率 / 输入功率 (1) 功率损耗 = 输入功率-输出功率 (2) ...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

全新封装MOSFET节省七成空间[Diodes]

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET.这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件.这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下.可以替代两个独...

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发布时间：2020-06-29

最小型的TrenchFET功率MOSFET[Vishay]

SiA444DJT在2mmx2mm占位面积内具有N沟道MOSFET当中最低的外形,SiA429DJT是具有最低导通电阻且高度只有0.8mm的P沟道器件宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 14 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE ...

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发布时间：2020-06-29

完全自保护MOSFET功率器件分析

为了提高系统可靠性并降低保修成本.设计人员在功率器件中加入故障保护电路.以免器件发生故障.避免对电子系统造成高代价的损害.这通常利用外部传感器.分立电路和软件来实现.但是在更多情况下.设计人员使用完全...

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发布时间：2020-06-29

提供低损耗大功率的MOSFET

硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降.这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量.从而造成电源效率的损失.对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板.一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失.或相当于受...

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发布时间：2020-06-29

瑞萨电子新型高压功率MOSFET产品

高级半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723.以下简称瑞萨电子).于2011年1月12日正式宣布推出用于电源器件的新型高压.N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品.新产品名为RJK60S5...

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发布时间：2020-06-29

PMOS开关管的选择与电路图

首先要进行MOSFET的选择.MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道.在功率系统中.MOSFET可被看成电气开关.当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时.其开关导通.导通时.电流可经开关从漏极流向源极.漏极和源极之...

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发布时间：2020-06-29

MOSFET基础:理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

通常.许多资料和教材都认为.MOSFET的导通电阻具有正的温度系数.因此可以并联工作.当其中一个并联的MOSFET的温度上升时.具有正的温度系数导通电阻也增加.因此流过的电流减小.温度降低.从而实现自动的均流达到...

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MOSFET
RDS

发布时间：2020-06-29

车用MOSFET 坚固紧凑的系统解决方案[IR]

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列.适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用. 新系列 MOSFET 器件采用 IR 经过验证的平...

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发布时间：2020-06-29

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

功率MOSFET具有导通电阻低.负载电流大的优点.因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies.SMPS)的整流组件.不过.在选用MOSFET时有一些注意事项. 功率MOSFET和双极型晶体管不同.它的栅极电容比...

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发布时间：2020-06-29

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