igbt-EDA365

研发资源 > 标签 > igbt

一种H型双极模式PWM控制的功率转换电路设计

低速特性是衡量转台伺服系统性能的重要指标之一.影响低速特性的因素有很多.其中最主要的是摩擦力矩和电机波动力矩的干扰.对摩擦力矩的干扰.可以采取摩擦力矩补偿方法.来降低摩擦力矩干扰对伺服系统低速特性的影...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-03

栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析

1 前言用于控制.调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流.功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制.而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制.通过使用典型的+15V控制电压(VG(on))....

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-03

新型IGBT软开关在应用中的损耗

本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT.并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步.IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度.以及利用[场终...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

全桥型IGBT电源主电路图

图示出电源主电路.V1-V4组成桥式逆变器.两端并联RCD吸收支路.L为限流电感.Co为储能电容.Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流.保护氙灯.图全桥型IGBT电源主电路图...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

IGBT的驱动与保护电路

由综合放大电路板(ZHFD)产生的输出信号被送入SG3526.产生PWM脉冲.此信号与反馈信号进行逻辑运算后送入HL403B厚膜驱动器.当IGBT产生过流.短路故障时.借助于IGBT内部的短路.欠饱和.软关断.降栅压保护功能....

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

IGBT模块的检测方法

以两单元为例:用模拟万用表测量静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子.红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子.红表笔接1端子,显示电阻应为...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

使用栅极电阻控制IGBT的开关

1 前言用于控制.调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流.功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制.而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制.通过使用典型的+15V控制电压(VG(on))...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

IGBT保护电路的过流保护设计方案

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件.具有电压高.电流大.频率高.导通电阻小等特点.因而广泛应用在变频器的逆变电路中.但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差.一旦出现意外...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-02

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

1引言scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的.这些需求包括:可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变换器与并...

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-01

VMOS.IGBT逆变充电电路图

逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时.组成的充电电路.比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高....

模拟电路设计

|

发布时间：2020-07-01

首页上一页 12 13 14 15 16 17 18 下一页尾页

Ecosmos携手第二十六届高交会，开启元宇宙展会新纪元

Ecosmos携手第二十六届高交会，开启元宇宙展会新纪元

|相关标签

|热门文章

Vishay推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT平台

IGBT浅析，IGBT的结构与工作原理

中国南车建成大功率半导体产业基地

中车北汽联手推动汽车IGBT国产化

IGBT将成车用电子界的CPU 台系功率元件布局全面启动