开关特性-EDA365

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浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响

发布时间：2020-07-06

1 前言用于控制.调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流.功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制.而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制.通过使用典型的+15V控制电压(VG(on)). ...<全部>

模拟电路设计

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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析

发布时间：2020-07-03

1 前言用于控制.调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流.功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制.而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制.通过使用典型的+15V控制电压(VG(on)). ...<全部>

模拟电路设计

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二极管的电容效应和等效电路与开关特性

发布时间：2020-05-22

一.二极管的电容效应二极管具有电容效应.它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD.1．势垒电容CB(Cr)前面已经讲过.PN结内缺少导电的载流子.其电导率很低.相当于介质,而PN结两侧的P区.N区的电导率高.相当于金 ...<全部>

放大器-比较器-模拟开关

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关于二极管的电容效应.等效电路及开关特性.你了解的全面吗?

发布时间：2024-11-02

一.二极管的电容效应二极管具有电容效应.它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD.1.势垒电容CB(Cr)PN结内缺少导电的载流子.其电导率很低.相当于介质;而PN结两侧的P区.N区的电导率高.相当于金属导体.从这一结构 ...<全部>

技术百科

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晶体三极管(BJT)的开关特性

发布时间：2024-11-02

BJT的开关作用对应于触点开关的"断开"和"闭合".如图1(a)所示为一个共发射极晶体三极管开关电路.图1 BJT的开关工作状态图4.2.1(a)中BJT为NPN型硅管.电阻Rb为基极电阻.电阻Rc为集电极电阻.晶体三极管T的基极b起控 ...<全部>

技术百科

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二极管的电容效应.等效电路及开关特性

发布时间：2024-11-02

二极管是一个非线性器件.对于非线性电路的分析与计算是比较复杂的.为了使电路的分析简化.可以用线性元件组成的电路来模拟二极管.使线性电路的电压.电路关系和二极管外特性近似一致.那么这个线性电路就 ...<全部>

电源硬件技术

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优化变换器的FET开关以改善能量效率

发布时间：2024-11-02

中心论题:电子产品性能的提升需要进一步提高DC/DC的转换效率MOSFET是影响DC/DC系统效率的主要原因硅基MOSFET的技术改进:改善开关特性.增加单元密度解决方案:提高MOSFET单元密度仔细的选择和优化MOSFET的性能系数 ...<全部>

电源硬件技术

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