FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

　　Flash 储存器的特点

　　1、Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

　　2、Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”（Block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。

　  3、从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据）；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。

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