富士通电子全新SPI 2Mbit FRAM问市，可在苛刻环境下正常工作
富士通电子元器件(上海)有限公司宣布.推出型号为 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM(注一).此款容量最高的FRAM产品能在高达摄氏125度的高温下正常运作.其评测样品(evaluation sample)现已开始供应. 此款FRAM非

SK 海力士公布新NAND Flash 发展规划，800+层，200TB 容量
目前.两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划.其中.三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外.SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash

DRAMless并非永远代表低预算 还有这些设计须知
DRAMless并非永远代表低预算 还有这些设计须知-除了设计没有DRAM的SSD或USB磁盘驱动器的成本外.还有其他原因. 闪存控制器的设计要么具有外部DRAM(动态随机存取内存)接口.要么就没有具备.一旦部署在其应用程序中.像是SSD和其他闪存设备(如USB磁盘驱动器)中.具有DRAM的设备通常可以提供较高的性能.这通常是随机性能.这些性能优势是在线社群的常见主题.他们进入基准检验.要求提供最佳的一流性能.这导致了一个总体误解.认为没有DRAM的SSD是一种低成本解决方案.因为较低的成本明

线性反馈移位寄存器原理与实现
线性反馈移位寄存器(linear feedback shift register. LFSR)是指.给定前一状态的输出.将该输出的线性函数再用作输入的移位寄存器.异或运算是最常见的单比特线性函数:对寄存器的某些位进行异或操作后作为输入

安富利和闪迪联手为全球提供创新商用闪存存储解决方案
全球闪存存储解决方案领导者闪迪公司 (NASDAQ:SNDK) 和全球领先技术经销商安富利公司(Avnet) (NYSE:AVT) 日前宣布.安富利将通过安富利电子营销和安富利科技有限公司.为北美洲.欧洲.中东和非洲 (EMEA).亚太和拉

全球最小9纳米存储器亮相 性能提高20倍
半导体制程再告前进一里!财团法人国家实验研究院国家纳米元件实验室成功开发出9纳米的超节能存储器阵列晶胞.不仅容量较快闪存储器增加了20倍.同时也降低了两百倍的功耗.也就是说.500G尽尽1平方公分大小.是目前

起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法.利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响.适当设定针对RTN的设计余度.该公司已在[2010