DRAM报价 传出三星调降20%
全球DRAM大厂三星昨天传出下调DRAM报价.调降幅度20%.此举预告DRAM产业将在第四季出现一波修正期.国内DRAM大厂华亚科和南亚科第四季营收恐不如预期.继台积电前天无预警下修第四季财测.市场消息传出.全球DRAM市

瑞萨电子推出全新的先进低功耗SRAM产品
进一步扩大先进低功耗 SRAM 产品阵营采用 110 纳米工艺技术实现高软错误免疫能力2013年9月24日.日本东京讯-全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723).今日推出了 12 款新产品版本的旗舰 SRA

MRAM将变革未来存储技术发展，ARM捷足先登
MRAM开发商Spin Transfer Technologies Inc.已更名为Spin Memory Inc.(加利福尼亚州弗里蒙特).并在Applied Ventures LLC和ARM Ltd.领导的B轮融资中募集了5200万美元. Applied Ventures LLC是芯片制造设备供应商A

高效并行存算融合技术—忆阻器
在计算量和数据量变得越来越大的今天.计算和存储成为了下一步科技发展中要面临的两座大山.下一代高性能计算机系统必须突破存储墙问题.在过去.这两者一直都是各自发展.再通过下游产品产生交集.但伴随着未来器件

分布式存储的重要性和种类
分布式存储的重要性和种类-分布式存储最早是由谷歌提出的.其目的是通过廉价的服务器来提供使用与大规模.高并发场景下的Web访问问题.

基于嵌入式数据库的海量存储技术解析
1嵌入式数据库通常. 我们采用数据库来实现对数据的存储.检索等功能.像MySQL这类基于C/S结构的关系型数据库系统. 虽然代表着目前数据库应用的主流. 却并不能满足所有应用场合的需要.很多的应用.仅仅利用到了这

闪迪发布48层3D NAND闪存 有望在2015年下半年投入试生产
(中国上海, 2015年3月31日) –全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司(纳斯达克股票代码: SNDK)近日宣布成功开发出48层第二代3D NAND闪存(亦称为BiCS2). 计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内