Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。

1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了解NAND特性的工程师，才能在应用上得心应手，不会被Nand Flash所绊倒。

一、分区

定义分区的实质是定义数据会如何写入NAND Flash，不同内容的数据写到对应的地址中。一般用户会有多个区，比如boot、kernel、fs、user等分区。

分区的描述：分区的地址范围（起始块、结束块），镜像文件大小（Image Size）。

分区的数据存储：镜像文件是从分区的起始块开始存放，如果分区中有坏块，将使用坏块处理策略替换坏块，直到镜像文件结束，如果分区中不够好块存放镜像文件，则烧录失败。

如下图是跳过坏块的镜像文件分区烧写示意图：

二、ECC（错误更正）算法

ECC 存在于NAND 每页的备用区（Spare Area）中，它允许外部系统发现主区的数据是否有误。在大多数情况下，ECC 算法可以纠正误码，NandFlash在使用中也可能会出现坏块，所以ECC是非常有必要的。

不同的用户会可能会使用不同的ECC算法，一般来说ECC算法由处理器供应商提供，如果编程器软件中无这个ECC算法，则需要用户提供ECC算法源代码。

如果用户不使用调入文件，而是使用读母片的方式烧录，并且无动态数据，则可以不考虑ECC算法，因为母片中的备用区已计算好ECC，直接将母片的备用区拷贝至其他芯片即可。

三、坏块管理

坏块处理策略定义了在遇到坏块时算法应该如何处理，基本的坏块处理策略有：跳过坏块、替换表（预留块区Reserve BlockArea，RBA）等等，下面分别对几种坏块处理方案进行说明。

1)   硬拷贝

硬拷贝其实就是遇到坏块什么都不处理，不管好块还是坏块直接烧写按顺序烧写数据，即使校验数据不一致也不报错，这是最简单、直接的处理方法，但是只能适用于数据不需管理的方案；

2)   跳过坏块

跳过坏块就是烧录数据时，遇到坏块即跳过此坏块，将数据顺延烧到下一个好块，这样可以保证所有的数据都能烧写到NAND存储空间中，但是并不知道数据究竟烧到了哪一位；

3)   替换表

此方法是将NAND存储空间中预留出一些块作为保留块，当遇到坏块时，在预留的保留块中选一个块来替换坏块，将原来写到坏块的数据写到替换块中；

4)   BBT（Bad block table）

此方法核心是跳过坏块，但是跳过后需要在NAND闪存指定位置写入一个坏块表（Bad block table），下图是BBT的结构图。

NAND应用需要注意的点大致整理如上，实际使用中会有灵活的应用方案，需要熟知NAND特性、编程器原理的工程师才能设计出合适的方案加以运用。P800Flash极速编程器融合了ZLG致远电子三代Flash编程器的特点，全面支持eMMC、NOR、NAND Flash的烧录，可提供完善的编程解决方案。