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IBM重大技术突破能耗低于NAND闪存技术

发布时间：2021-05-13

根据Computerworld网站报道.IBM研究人员在自旋电子学领域([自旋迁移电子学"的简称)取得了重大技术突破.能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头.在半导体材料上记录和读取数位数据.可以将电子自旋周期延长30倍 ...<全部>

存储技术

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IBM
NAND

77

NANDFlashd的读写(基于s3c2440)

发布时间：2021-04-27

#ifndef__TEST_H__#define__TEST_H__#include"def.h"#defineMAX_NAND_BLOCK2048//一共2048块#defineNAND_PAGE_SIZE2048//每块main区2k字 ...<全部>

嵌入式开发

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扩大产能.三星考虑对西安工厂追加投资

发布时间：2021-04-27

据BusinessKorea报道.韩国科技巨头三星电子正考虑对其在陕西省西安市的第二座半导体项目代工厂加注投资.但目前中美贸易战火未歇.也为三星的追加投资西安工厂计划增加了不确定性-- 据证券和半导体行业消息人士透露 ...<全部>

半导体生产

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94

170层!铠侠全新3D NAND问市.继续向顶峰迈进

发布时间：2021-04-23

据日经新闻报道.日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存.加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛.据报道.铠侠新的NAND存储器是与美国合作伙伴Western Digital共同开发的.其写入数 ...<全部>

存储技术

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NAND
字符串

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ISSCC 2021报告3D NAND闪存最新进展

发布时间：2021-04-23

一年一度的ISSCC涵盖了广泛的讨论主题.例如每年的会议中.都包含有关非易失性存储器的会议.大多数NAND闪存制造商都会分享其最新发展的技术细节.在会议上.我们能获得的信息超出了这些公司通常在新闻发布会上愿意 ...<全部>

存储技术

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NAND
ISSCC

145

关于S3C2440 u-boot支持nand hw ecc

发布时间：2021-04-22

/zixunimg/eeworldimg/blog.csdn.net/hurry_liu/article/details/8741565 ---这篇文章(文章1)讲的很详细./zixunimg/eeworldimg/www.xuebuyuan.com/zh-hant/916448.html ----这篇文章(文章2)也讲的差不多.文章1 ...<全部>

单片机程序设计

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tq210 nand8位HWECC与YAFFS2的OOB布局

发布时间：2021-04-22

最近又重新调试了下8位的HWECC.最后发现S5PV210的8位HWECC的确是可以用的.但是.使用yaffs2文件系统的时候的时候仍然会出问题.这是由于yaffs2文件系统与mtd层的oob布局冲突导致的.当我们使用8位HWECC时.会生成5 ...<全部>

单片机程序设计

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124

S5PV210 nand 4bit ecc笔记与AM335x的ECC

发布时间：2021-04-22

首先假设flash芯片页大小为2K + 64B的格式.S5PV210根据User Manual的4.3.7 4-BIT ECC PROGRAMMING GUIDE (ENCODING)得知4bitecc的编码步骤为:1. 写数据之前.设置Msglength(NCONF[25])设为512.InitMECC(NFCONT ...<全部>

单片机程序设计

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138

SK海力士又一力作:基于128层NAND闪存消费级SSD问市

发布时间：2021-04-19

据BusinessKorea报道.SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD--SK海力士Gold P31.提供500GB和1TB两种存储容量.产品已上架亚马逊. ...<全部>

存储技术

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控制器
NAND

65

半导体是电子工业发展的基石(上)

发布时间：2021-04-15

智慧之石作为电子工业发展基础的电子器件.已经历了三个巨大变革时代:1. 电子管时代――1905-1947(42年);2. 晶体管时代――1947-1958(11 ...<全部>

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