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相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热内存业务买气。 此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。
全球第2大NAND闪存厂东芝(Toshiba)6月28日宣布，携手西部数据（Western Digital）旗下闪迪（SanDisk）研发出全球首款采用堆栈96层工艺技术的3D NAND Flash产品，且已完成试作、确认基本动作。
这一动作被视为抢了存储器龙头三星的风头，韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售内存部门，蓄意放出消息、操弄媒体。
该款堆栈96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB) ，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术（3bit/cell，TLC），BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。 预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板和存储卡等市场。
韩媒BusinessKorea 7月 3日报导，东芝和西部数据为了东芝内存(Toshiba Memory Corporation，TMC)出售案，搞到撕破脸互告。 韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售内存求现，避免因为资本减损下市，怀疑东芝是否有能力投入庞大资金、进行研发。
相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热内存业务买气。 此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。 他们表示，东芝在这个时间点放出该新闻相当可疑。
报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考虑到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到全面量产再说。 文章力挺三星，指出就算堆栈层数相同，视各家公司技术和制造方法不同，表现仍有差异，因此堆栈层数变多，不能保证效能一定变好。
东芝目前已量产堆栈64层的3D NAND产品，而和64层产品相比，96层3D NAND每单位面积的存储记忆容量扩大至约1.4倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加、每bit成本也下滑。
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