IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式记忆体模组(DIMM)插槽加入 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司并计划在 DIMM 埠中采用自行设计的控制器晶片。

    此外，IBM并加倍扩增去年从Texas Memory Systems公司收购而来的 flash 控制器设计团队规模。预计在今年年底前，该团队将为其最佳化的储存阵列推出增强版控制器，并搭配东芝 NAND 晶片共同使用。该公司期望未来版本的控制器能与任何供应商的 flash 晶片搭配使用。

    IBM由收购Texas Memory组成的最新事业部──IBM Flash System副总裁Michael Kuhn分享了该公司在 flash 业务方面的开发蓝图。

    IBM的客户多半都必须「因应各种不同的 flash 部署模式」，Kuhn说。

    用途包括插入于 SATA 的直连式固态硬碟以及硬碟用序列式 SCSI 介面、搭配 Fusion-IO 与 LSI 的 PCI Express 插槽，以及目前的 DIMM 。

    Kuhn表示：「我想你将会在2014年时看到 flash 在 DIMM 插槽中的应用。明年我们将采用 Diablo 控制器以及我们自行开发的控制器展开一些工作。」

    英特尔(Intel)固态硬碟专家Knut Grimsrud则看淡 DIMM插槽应用于快闪记忆体的重要性。他指出，该介面并未能比PCI Express提供更好的速度与延迟特性比，因而为 flash 晶片的存取时间带来一些瓶颈。此外，除非 flash DIMM 持援随机存取，否则在应用上十分有限。

    IBM的Texas Memory产品系列则采取不同的方法，专注于更高的容量与更广泛的系统管理功能──在Fibre Channel 或 Infiniband 储存网路上的1U机箱上插入高达20TB的 flash 。Kuhn指出，IBM未来还将提供可插入于 FCoE 网路的产品系列。

    新的3级单元 flash 晶片类型也为 flash 子系统开启了一些新选择。Kuhn预测， IBM Research与其它单位正开发的相变记忆体将在2016年上市。

    同时，IBM在 flash 领域面临的竞争来自于EMC等现有的大型供应商，以及新创公司，如Violin Memory等。此外，NetApp也预计在明年推出自家 flash 阵列。