×
尔必达存储器宣布，开始样品供货采用TSV(Through Silicon Via，硅贯通孔)技术积层4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1个接口芯片的单封装DDR3 SDRAM。尔必达表示采用TSV技术实现32bit的输入输出“在全球尚属首次”。据尔必达介绍，与采用引线键合(Wire Bonding)技术的现有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新产品可以大幅削减耗电量和封装体积，因此有助于平板终端和超薄型笔记本电脑(PC)等节省耗电量、实现小型化和薄型化。
据尔必达介绍，如果采用此次的封装产品，与SO-DIMM相比工作时的耗电量可削减约20%，待机时和更新时均可削减约50%。封装面积方面，配备 2GB(16Gbit)时，SO-DIMM为67.6mm×30.0mm，此次配备两个11.0mm×15.0mm的封装即可。由此，封装面积可削减约 70%。另外，还具有可省去DIMM槽、削减封装高度等优点。耗电量降低、封装面积减小的原因是，采用TSV后用来连接芯片的布线长度会变短。据尔必达介绍，布线长度变短后，寄生电阻和寄生容量会降低，从而可以削减耗电量，还可以减小布线所需要的封装面积。
尔必达存储器正在发力制造以智能手机和平板终端为代表的移动产品中使用的DRAM。作为其中一个环节，尔必达一直在大力开发TSV技术，这是一项削减移动产品用DRAM耗电量和封装面积的重要技术。此次样品供货采用TSV、32bit输入输出的8Gbit DR3 SDRAM，也是为了顺应这一发展趋势。
『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
热门文章
更多
云计算使用的存储类型介绍
APP下载
登录
