×
嵌入式 > 存储技术 > 详情

我国有望进入全球存储芯片第一梯队

发布时间:2020-05-16 发布时间:
|

  据新华社电 位于湖北武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台4月11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。

  目前,我国通用存储器基本全部依赖进口,国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片,是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,有望使我国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

  紫光集团董事长赵伟国表示,今年10月设备将点亮投产,预计2019年底64层闪存产品将实现爬坡量产。未来10年,紫光集团计划至少还将投资1000亿美元,相当于平均每年投入100亿美元,进一步拉近我国在高端芯片领域与先进国家的距离。



『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』

热门文章 更多
170层!铠侠全新3D NAND问市.继续向顶峰迈进