2015年第二季DRAM位元产出量增、产值衰退-EDA365

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2015年第二季DRAM位元产出量增、产值衰退

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TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，DRAM市场在 2015年第二季受到合约均价大幅衰退约10%的影响，虽然位元产出量持续增加，总产值仍呈现4.8%的季衰退，来到114亿美元。

在淡季影响下，各DRAM厂第二季营收都呈现衰退走势，然而由于制程持续转进，毛利并未大幅缩减，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的DRAM产品别营业获利比例分别为48%、37%与21%，因此DRAM产业真正的考验将会落在未来的几季；在需求端如笔电与智慧型手机领域持续疲弱，但供给端来自20nm/21nm的比例将持续提升，DRAMeXchange预期未来DRAM价格的跌幅恐怕持续。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，三星与SK海力士在全球第二季DRAM厂自有品牌记忆体市占率各为45.1%以及27.7%，稳定盘据全球超过七成的供给比例。美光半导体约为20.6%，主要衰退除了来自于跌价损失外，位元供给未现成长也是原因之一。

第二季DRAM厂商营收排行

从技术面观察，DRAMeXchange认为三星的最新制程20nm表现令人惊艳，不仅导入顺利、良率稳定，时程更是大幅领先其竞争对手约半年到一年，持续展现其领导厂商的制程优势。目前三星的20nm较大幅度集中在标准型记忆体以及伺服器记忆体，但很快就会普及到所有的产品类别，在现今跌价的市场中持续带来成本优化的优势。

SK海力士最新制程21nm尚处于最初期的试产阶段，已经递延到第三季底才送交验证的样品，真正大量生产的时序会跟美光的20nm相当接近，落在明年的第一季。而美光集团方面，制程微缩与上季相较未显突破，仍维持在30nm，使得成本压力相较于两家韩商高出许多。

在台系厂商部分，南亚科目前在30nm微缩制程转进速度顺利，预计产出年末将来到60%，营收方面小幅下滑5.1%，20nm制程预计明年下半年新工厂完工后导入量产行列。华亚科由于产品组合多以近期下跌幅度最剧烈的标准型记忆体与伺服器用记忆体为主，加上30nm制程落后于韩系厂商，毛利率从上季的47.2%大幅下修至第二季的34.9%。

力晶由于标准型记忆体生产多属代工性质，营收较第一季维持一样衰退，25nm制程方面现已进入试产阶段，如顺利最快明年初可以导入量产。华邦虽无标准型记忆体产品产出，但大容量利基型记忆体市场也陷入杀价竞争的困境，营收衰退8.5%左右，获利也小幅下滑至11.2%。

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