2011年3月28日，北京讯，赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3.4MHz（I2C器件）。同时，用户还可以选择集成实时时钟（RTC），用于给重要的数据打上时间标记，以便备份。

    赛普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器技术制造，拥有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM对于要求数据的绝对非易失性的应用（如智能电表、PLC、马达驱动、汽车电子数据记录仪、RAID系统、医疗和数据通讯系统）而言，是理想的选择。

    新的串行nvSRAM系列产品包括具有多种配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。这些器件具有卓越的性能， SPI运行频率可达到业界领先的104MHz，具有SPI模式0和3、无限次读写和取回周期，数据保存时间长达20年。这些器件采用业界标准的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封装方式。

    赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“由于nvSRAM基于可行的、高产的CMOS技术，我们的客户鼓励我们将这些串行接口产品添加到我们现有的并行nvSRAM产品线中。竞争方案倾向于使用非标准工艺技术，且必须力保供应源的持续性。赛普拉斯的供应链很灵活稳定，拥有高质量的制造工艺，因而能满足需求巨大的串行市场。”

    赛普拉斯是SONOS工艺技术的领先厂商，在其下一代PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中都采用了S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗辐射的优势。赛普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工艺在其自身的芯片厂和多个合作芯片厂中都有使用。与其他基于磁和铁电的非易失性存储技术相比，SONOS技术在规模扩展和可制造性方面具有突出的优势。

    关于赛普拉斯的nvSRAM

    赛普拉斯的nvSRAM采用储存在外部电容器中的电荷，而非电池，因而器件与标准的PCB装配流程是兼容的。赛普拉斯的nvSRAM兼容ROHS标准，可以直接替代SRAM、电池供电的SRAM（BBSRAM）和EEPROM器件，提供快速的非易失性数据存储。断电时，数据从SRAM存储到器件的非易失性单元的过程可自动进行。供电恢复后，数据可从非易失性单元中恢复至SRAM。在仪表、工业、汽车和RAID应用中，当出现电力中断的情况时，nvSRAM无需电池即可提供高速数据传输并保证数据的完整性。