IC Insights在其《2018年麦克莱恩报告》的9月更新中披露，在过去两年中，DRAM制造商的存储器晶圆厂一直满载运行，这导致DRAM价格稳步上升，并为供应商带来可观的利润。图1显示，2018年8月DRAM的平均销售价格（ASP）达到了6.79美元，比两年前的2016年8月增长了165%。虽然今年的DRAM ASP增速已经放缓，但2018年前八个月仍保持稳健上升趋势。

图 1

众所周知，DRAM市场是非常周期性的，在经历了两年的强劲增长之后，历史的先例现在强烈表明DRAM平均售价（和市场）将很快开始下滑。一个显示DRAM平均价格即将下滑的指标是DRAM资本支出连续几年大幅增加以扩大或增加新晶圆厂产能（图2）。2017年DRAM资本支出增长81%至163亿美元，预计今年将再增加40%至229亿美元。如此水平的资本支出通常会导致大量的新产能和随后的价格快速下降。

图 2

 然而，这次稍有不同的在于，与前几代产品相比，顶级DRAM供应商现在使用的低于20nm工艺节点通常与显着的支出升级相关的大的生产率提升要小得多。

在今年早些时候举行的分析日活动中，美光公司提供的数据显示，制造低于20纳米节点的DRAM需要增加35%的掩模层数，每个关键掩模层增加110%的非光刻步骤数量，以及增加80%的每晶圆洁净室面积。因为制造20nm以下的器件，需要更多的设备（每个设备比上一代具有更大的占位面积）。在向较小的技术节点过渡之后，先前平均约50%的位体积增加是在≤20nm节点处的该量的一小部分。最终结果是由于DRAM位产出增长较少而使供应商必须投入更多的资金。因此，最近资本支出的上涨虽然不寻常，但可能不会像过去那样导致类似数量的产能过剩。

如图2所示，预计2018年DRAM平均售价将上涨38%至6.65美元，但IC Insights预测随着更多产能上线和供应限制开始放缓，DRAM市场增长将会降温（值得一提的是，据报道，由于客户需求预期疲软，三星和SK海力士于3季度推迟部分扩张计划）。

当然，过去几年出现的中国新生存储器公司是DRAM市场的一个变数。据估计，中国约占DRAM市场的40%，约占闪存市场的35%。

至少有两家中国IC供应商睿力集成和福建晋华的产品将进入今年的DRAM市场。虽然中国的产能和制造工艺一开始不能与三星，SK海力士或美光公司相媲美，但是中国的创业公司表现如何以及它们是否只为中国的国家利益服务，或者它们是否会扩展到满足全球需求，让我们拭目以待。