ARM与联电拓展长期IP合作伙伴关系至28纳米-EDA365

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ARM与联电拓展长期IP合作伙伴关系至28纳米

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ARM公司与全球领先的半导体晶圆代工商联电近日共同宣布达成长期合作协议，将为联电的客户提供已经通过联电28HPM工艺技术验证的ARM Artisan物理IP解决方案。这项最新的28纳米工艺技术的应用范围极广，包括手机与无线等便携设备，以及数字家庭和高速网络等高性能应用。此次合作集合了两家公司的优势，将为双方的客户提供卓越的技术与支持。

ARM物理IP部门执行副总裁兼总经理Simon Segars表示：“我们很高兴联电在28HPM工艺上采用ARM Artisan物理IP。至此，双方客户将能够获得完整的先进物理IP解决方案用于实现ARM技术，例如ARM CortexTM-A系列处理器。拓展ARM和联电的合作关系，将加深双方在28纳米节点上的工艺技术与先进物理IP的开发方面的合作与创新，进而优化性能、功耗效率和芯片密度，并体现ARM为先进工艺节点设计提供多样化技术平台的承诺。”

联电客户工程与IP研发设计支持部门副总裁S.C. Chien表示：“我们很高兴能进一步拓展与ARM之间已超过10年的长期合作关系。这项由联电赞助的发展计划，将能够为客户在联电各个先进的工艺技术上提供全方位的ARM物理IP解决方案，也有助于缩短产品在重要市场应用上的上市时间。此外，这项合作进一步凸显了我们的承诺，将行业领先的资源，提供给采用联电最尖端的28纳米工艺节点的客户。”

联电的gate-last 28HPM工艺技术，具有卓越的性能、超低漏电的高K金属栅结构等特点，能够提供多种器件电压、记忆单元、低速或超速运行能力，可以帮助片上系统设计师实现高性能和更长的电池续航能力。联电的28HPM工艺技术预计于2012年中期投入试产。

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