STM32F103ZET6 自带了 64K 字节的 SRAM，对一般应用来说，已经足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32 自带的这些内存就不够用了。比如跑算法或者跑 GUI 等，就可能不太够用，所以战舰 STM32 开发板板载了一颗 1M 字节容量的 SRAM 芯片： IS62WV51216，
满足大内存使用的需求。 
     本实验采用IS62WV51216 芯片，访问速度为55ns。

一。IS62WV51216简介

兼容TTL电平就是兼容5V，支持高/低字节控制，可以访问8位的字节。

本次实验选择的封装没有CS2引脚，只有CS1，为低电平片选。
LB和UB为低电平有效，比如如果LB==0，说明I/O 0 - I/O 7 是有效的。如果UB ==0 ，说明 I/O 8 - I/O 15有效。

rRC 为一个周期总共的时间

tAA 为地址建立时间

tDOE为OE建立时间

设置FSMC的时候要满足这几个条件，就可以访问IS62WV51216了。

二。FSMC简介

详细的FSMC介绍看TFTLCD显示实验。

FSMC不支持SDRAM

本实验要驱动SRAM，因此要用到NOR存储控制器。

FSMC的寄存器以及寄存器的设置：

1. BCRx寄存器

FSMC-BWTRx只有在读写时序不一致的时候才设置，这里用的SRAM读写速度一样，都是55ns，因此不需要设置。BCRx寄存器的EXTMOD位设置为0，读写时序相同，不使用BWTRx寄存器。

2. BTRx寄存器

3. 寄存器组合说明

三。硬件连接

注意：地址线没有一对一的连接，为了方便布线，因为地址具有唯一性，数据线是一对一的连接。

四。代码讲解和例程测试

//初始化外部SRAM

void FSMC_SRAM_Init(void)

{

FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;

FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;

GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;

 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);

  RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出

  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);

  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出 

  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

  readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns

    readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到

    readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)  

    readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable; //存储器写使能 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

    FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

    FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3  

}

//在指定地址开始,连续写入n个字节.

//pBuffer:字节指针

//WriteAddr:要写入的地址

//n:要写入的字节数

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)

{

for(;n!=0;n--)  

{    

*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;  

WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

pBuffer++;

}   

}    

//在指定地址开始,连续读出n个字节.

//pBuffer:字节指针

//ReadAddr:要读出的起始地址

//n:要写入的字节数

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)

{

for(;n!=0;n--)  

{    

*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    

ReadAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

}  

}