晶闸管属于硅元件，硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸管的现象。
晶闸管烧坏都是由温度过高造成的，而温度是由晶闸管的电特性、热特性、结构特性决定的，因此保证晶闸管在研制、生产过程中的质量应从三方面入手：电特性、热特性、结构特性，而且三者是紧密相连、密不可分的，所以在研制、生产晶闸管时应充分考虑其电应力、热应力、结构应力。烧坏晶闸管的原因很多，总的说来还是三者共同作用下才致使晶闸管烧坏的，某一单独的特性下降很难造成晶闸管烧坏，因此我们在生产过程中可以充分利用这个特点，就是说如果其中的某个应力达不到要求时可以采取提高其他两个应力的办法来弥补。
图1:晶闸管
从晶闸管的各相参数看，经常发生事故的参数有：电压、电流、dv/dt、di/dt、漏电、开通时间、关断时间等，甚至有时控制极也可烧坏。由于晶闸管各参数性能的下降或线路问题会造成晶闸管烧坏，从表面看来每个参数所造成晶闸管烧坏的现象是不同的，因此通过解剖烧坏的晶闸管就可以判断是哪个参数造成晶闸管烧坏的。
电压引起晶闸管烧坏现象
一般情况下阴极表面或芯片边缘有一烧坏的小黑点说明是由于电压引起的，由电压引起烧坏晶闸管的原因有两中可能，一是晶闸管电压失效，就是我们常说的降伏，电压失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是线路问题，线路中产生了过电压，且对晶闸管所采取的保护措施失效。
电流引起晶闸管烧坏现象
电流烧坏晶闸管通常是阴极表面有较大的烧坏痕迹，甚至将芯片、管壳等金属大面积溶化。
di/dt引起晶闸管烧坏现象
由di/dt所引起的烧坏晶闸管的现象较容易判断，一般部是门极或放大门极附近烧成一小黑点。我们知道晶闸管的等效电路是由两只可控硅构成，门极所对应的可控硅做触发用，目的是当触发信号到来时将其放大，然后尽快的将主可控硅导通，然而在短时间内如果电流过大，主可控硅还没有完全导通，大的电流主要通过相当于门极的可控硅流过，而此可控硅的承载电流的能力是很小的，所以造成此可控硅烧坏，表面看就是门极或放大门极附近烧成一小黑点。
dv/dt引起晶闸管烧坏现象
至于dv/dt其本身是不会烧坏晶闸管的，只是高的dv/dt会使晶闸管误触发导通，其表面现象跟电流烧坏的现象差不多。
开通时间引起晶闸管烧坏现象
开通时间跟di/dt的关系很密切，因此其烧坏晶闸管的现象跟di/dt烧坏晶闸管基本类似。
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