场效应管分结型场效应管、绝缘栅型场效应管两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(IGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。
如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管：结型场管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换)，余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极(使用中接地)。判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
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