Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET-EDA365

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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

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SiR626DP

　　2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

　　日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

　　SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

　　MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

　　SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。

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