ZXTP25040DFH
40V SOT23 PNP中功率晶体管
摘要
BVCEO> -40V
BVECO> -3V;
IC（CONT）= -3A
RCE（sat）= 55米;
VCE（sat）<-85mV @ 1A;
PD = 1.25W
辅助部件号ZXTN25040DFH
描述
先进的工艺能力和包装设计已被用于
最大化这个小轮廓的功率处理和性能
晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择
适用于空间有限的应用。
特征
高功耗SOT23封装
高峰值电流
饱和电压低
3V反向阻断电压
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
DC - DC转换器
电机驱动
高端驱动器
订购信息
设备标记
热阻
参数符号限制单位
接点到环境（a）RJA 171°C / W.
接点到环境（b）RJA 119°C / W.
接点到环境（c）RJA 100°C / W.
接点到环境（d）RJA 69°C / W.
笔记：
（a）对于安装在15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB上的器件表面，具有高覆盖率的单面1oz铜，
仍然是空气条件。
（b）安装在25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。
（c）安装在50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。
（d）如上所述（c）在t <5秒时测量。
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