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新工艺运放面向高压工业应用

发布时间:2021-05-27 发布时间:
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高电压工业环境对高精度运算放大器的性能要求苛刻,德州仪器(ti)为此推出opa211和opa82两款放大器。它们与业界同类36v放大器相比,均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸和高带宽,适合于测试测量、仪表、影像、医疗、音频和过程控制等应用。这两款放大器是采用ti公司独创的bicom3hv“互双极36v硅锗(sige)”工艺开发的首批器件。opa211(见图1)是双极输入运算放大器,仅需3.6ma电源电流即可实现1.1nv/√hz电压噪声和80mhz增益带宽(gbw)。该器件具有 100mv失调电压,0.2mv/℃失调电压漂移和低于1ms的建立时间,非常适合于驱动数据采集系统中的高精度模数转换器。此外,该器件还支持轨至轨输出振幅,从而扩大了动态范围。opa211工作电源电压范围为±2.25v~±18v,采用8引脚msop封装或8引脚dfn封装。3mm×3mm dfn封装面积仅为标准8引脚so封装的三分之一。

opa827(见图2)是jfet输入运算放大器,它结合了优秀的dc和ac性能。其中dc性能为4.5nv/√hz电压噪声,250mv失调电压,1mv/℃失调电压漂移

以及400nvpp频率噪声。ac性能为18mhz gbw,22v/ms电压摆率和在1khz频率条件下具有0.0004%总谐波失真(thd)。opa827的工作电源电压范围为±4v~±18v,电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装,与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。

bicom3hv工艺率先采用硅锗技术的36v工艺,实现了高速度、低噪声、低功耗等特性,可满足未来高电压工业应用的需求。该工艺引入硅绝缘体(soi)技术缩小了晶体管尺寸,从而ti晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的1/11。soi还具有其它优势,例如低泄漏电流和更小晶体管间影响。bicom3hv工艺非常适合于新一代工业电压运算放大器(双极输入和fet输入)、仪表放大器、可编程增益放大器和高精度参考。


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