①电压·电流特性。
光电二极管的电压—电流特性在无光照时,它的特性与一般二极管一样。受光后,它的特性曲线沿电流轴向下平移,平移的幅度与光照强度成正比例。特性曲线在第三象限时,表达了管子在加有反向电压并受光照时的反向特性。此特性表明:
a.反向电流随入射光照度的增加而增大,在一定的反向电压范围内,反向电流的大小几乎与反向电压高低无关。
b.在入射照度一定时,光电二极管相当于一个恒流源,其输出电压与负载电阻增大而升高。如只R1~>R2,则输出电压URl>Uc,其中URl=Uc—Ul,UR2=Uc—U2。特性曲线在第四象限时,它呈光电池特性,光照强度越大,负载电阻越小,电流越大。即R1>R2时,则I2>I1。
②反向工作电压UR。
在无光照时,光电二极管中反向电流≤0.2—0.31µA时,允许的最高反向电压一般不大于10V,最高可达50V。
③暗电流ID。
在无光照时,加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流。通常在50V反压下的暗电流小于100nA。
④光电流IL。
在受到一定光照及一定反压条件下,流过管子的电流为光电流。一般光电流为几十μA,并且与照度成线性关系。
⑤光谱响应特性。
硅光电二极管的光谱范围为400~1100nm,其峰值波长为880~900nm,这与GaAs红外发光二极管的波长相匹配,可获得较高的传输效率。
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