湖南三安是三安光电在长沙投建的 160 亿元第三代半导体项目的实施主体，经营范围包括研发、生产及销售 6 吋 SiC 导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SiC 二极管外延、SiC MOSFET 外延、SiC 二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装 MOSFET 等第三代半导体产品。

 

此项目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半导体产业，拟建设长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。8 月消息显示，湖南三安已完成部分项目用地摘牌，剩余土地也将尽快摘牌，项目处于基础建设阶段。

 

早前，三安光电表示，长沙高新技术产业开发区管理委员会给予项目实施主体补助、扶持、补贴等支持资金，包括科技研发专项扶持、生产要素补贴、两高人才补贴、市场拓展等。本次获得产业扶持资金，在一定程度上有助于湖南三安推动第三代半导体项目的建设与实施。据了解，该项目在用地各项手续和相关条件齐备后 24 个月内完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内实现达产。

 

除了长沙第三代半导体项目以外，三安光电同时正在稳步推进其他几个关于 Mini/Micro LED、化合物半导体的大项目。其中，湖北葛店 120 亿元 Mini/Micro LED 芯片产业化项目去年 7 月正式开工，今年顺利推进，预计明年 3 月项目投产见效。

 

福建泉州 333 亿元高端氮化镓 LED 衬底等七大产业化项目也正在顺利推进中，并于今年加快了发展步伐，项目已有部分设备调试完成，产能正在逐步释放。