半导体存储器芯片中的只读存储器(Read Only Memory，ROM)，是一种存储固定信息的存储器,在正常工作状态下只能读取数据，不能即时修改或重新写入数据。

这种存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据，比如计算机中的自检程序就是固化在 ROM 中的。

ROM 的最大优点是具有不易失性。

ROM 有不可重写只读存储器(MROM、PROM)和可重写只读存储器(EPROM、EEPROM、闪速存储器等)两大类。

不可重写只读存储器，也可分为两类，包括掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。

1、掩模只读存储器(MROM)

掩模只读存储器，又称固定 ROM。这种 ROM 在制造时，生产商利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。

MROM 又可分为二极管 ROM、双极型三极管 ROM 和 MOS 管 ROM 三种类型。

2、可编程只读存储器(PROM)

可编程只读存储器(Programmable ROM，简称 PROM)，是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在 MROM 的基础上发展而来的。

PROM 的缺点是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修改。

可重写只读存储器

这类 ROM 由用户写入数据(程序)，后期也可以操作修改，使用起来比较自由、方便。可重写 ROM 又可分为紫外线擦除 EPROM、电擦除 EEPROM 和闪速存储器 Flash ROM 三种类型。

1、光擦可编程只读存储器(EPROM)

光擦可编程只读存储器(EPROM)的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM 出厂时，其存储内容为全「1」，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，可将原存储内容擦除(恢复为全「1」)，以便写入新的内容。

EPROM 一般是将芯片用紫外线照射 15～20 分钟左右，以擦除其中的内容，然后用专用的 EPROM 写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，EPROM 常用于软件开发过程中。

2、电擦可编程只读存储器(EEPROM 或 E2PROM)

EEPROM 用电气方法将芯片中存储内容擦除，擦除速度较快，甚至在联机状态下也可以操作。相对来说，EPROM 用紫外线擦除内容的操作就更复杂，速度也很慢。EEPROM 既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式，使用字擦除方式可擦除一个存储单元，使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。

3、闪速存储器(Flash ROM)

闪速存储器(Flash ROM)是 20 世纪 80 年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读 / 写半导体存储器，Flash ROM 突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。

Flash ROM 中的内容不像 RAM 一样需要电源支持才能保存，但又像 RAM 一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM 的内部信息可读不可写，类似于 ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于 RAM。

Flash ROM 可以用软件在 PC 中改写或在线写入信息，一旦写入则相对固定。因此，在 PC 中可用于存储主板的 BIOS 程序。由于支持改写，就便于用户自行升级 BIOS，但这也给病毒创造了良好环境，著名的 CIH 病毒正是利用这个特点来破坏 BIOS，从而导致整个系统瘫痪的。另外，由于单片存储容量大，易于修改，Flash ROM 也常用于数码相机和 U 盘中，因其具有低功耗、高密度等特点，且没有机电移动装置，特别适合于便携式设备。