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三星公布工艺开发路线图：2022年生产3纳米芯片
日前，三星在美国举办了每年一度的“芯片制造论坛”（Foundry Forum）。在这次会议上，三星披露了推出7纳米、5纳米和3纳米芯片制造工艺的路线图。
7纳米LPP将是三星采用远紫外线光刻解决方案的第一种工艺，将于今年下半年投产，不过，采用这一工艺的芯片将从明年上半年开始量产。届时，台积电也将开始量产采用7纳米+工艺（也采用远紫外线光刻解决方案）的芯片，并开始试生产5纳米工艺芯片。
采用三星5纳米LPE工艺的芯片将提供超低能耗。最后采用FinFET技术的芯片，将利用4纳米工艺制造。利用该工艺制造的芯片性能更高，尺寸更小。这两种工艺的芯片将分别于2019年和2020年投产。今年早些时候，韩国有媒体报道称，三星将为高通制造采用7纳米工艺的骁龙855芯片——消息称它将用于三星明年的Galaxy S10手机。
从3纳米工艺芯片开始，三星将利用自家新一代环绕栅极（Gate all-around）架构，预计3纳米工艺芯片要到2022年才会投产。值得指出的是，生产工艺越先进，制造的芯片性能就越强大，越节能。
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