APP下载
登录
8月20日消息，本月早些时候英特尔和美光公开了全新的3D XPoint（即交叉点）非易失性内存技术，这种技术弥补了计算机DRAM与NAND各自的局限性。今日，英特尔公开了基于英特尔3D XPoint技术的DIMM内存条，实现了首次将非易失性技术应用于主内存的记录。
据英特尔介绍，该内存比传统DDR内存的容量高4倍，成本则为后者的一半，其接口及电气特性都兼容DDR4，同时又兼备了硬盘的有点。
该内存条将用于数据中心以及大数据分析，英特尔还没有公布该产品的发布时间，不过按照这样的趋势英特尔又要再次走上垄断之路啊。
众所周知，DRAM与NAND已经诞生了数十年，二者各有优缺点：DRAM能够提供纳秒级延迟水平与几乎无限的耐久能力，但其存在着存储单元较大而价格昂贵、存储单元拥有易失性以及功耗较高等问题；而NAND的延迟过高（特别是写入操作），写入周期有限，但其存储单元为非易失性而且整套结构更为高效。因此一直以来，二者都是协同合作，即DRAM作为内存/缓存机制，而NAND则负责处理数据存储。
英特尔3D XPoint则有望打破这一僵局，该技术介于DRAM和NAND之间，其使用寿命是NAND的千倍，读取延迟也可以降到纳秒级别。因此，3D XPoint完全可以弥补了NAND的致命缺陷，但是要取代DRAM还需要时间。
热门文章
