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过去中芯国际就曾侵犯台积电的逻辑工艺专利，至于在内存技术上，专利既多且广，美、日、韩等大厂都已累积数十年基础，未来中国大陆企业将面临新一波专利诉讼。
从技术与产品来看，许多大陆公司因为无法取得授权，只能靠挖角日、韩及台湾地区团队，想办法拼凑组合。 以DRAM为例，目前代表性公司合肥长鑫，就从南韩SK海力士、日本尔必达及台湾华亚科挖角，其中华亚科前资深副总刘大维也被延揽。
至于3D NAND Flash代表企业武汉新芯，已和紫光集团合组长江存储，技术来源就是已并入赛普拉斯（Cypress）的飞索半导体（Spansion）。 不过，双方合作传闻都还没动静，日前长江存储还发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3D NAND Flash 今年量产的消息，未来后续发展恐怕须再观察。
根据IC Insights 2月公布的报告，中国大陆半导体业倚赖挖角与模仿建立技术基础，是冒着极大的专利侵权风险；过去中芯就曾侵犯台积电的逻辑工艺专利，至于在内存技术上，专利既多且广，美、日、韩等大厂都已累积数十年基础，未来中国大陆企业将面临新一波专利诉讼。 IC Insights也预期，中国大陆想在二五年达到半导体自给自足目标，难度相当大。
华中科技大学微电子学院执行院长邹雪城说，中国大陆在半导体行业摸索多年，如今已找到较正确且成功的模式，在中国政府支持下，武汉已成为发展国家储存器的重镇，“这项任务既十分光荣，也十分艰巨，需要下定决心，争一口气。 ”
邹雪城目前身兼武汉国家集成电路人才培养基地主任、武汉集成电路设计工程技术研究中心主任，十多年前，他曾代表武汉与国际半导体厂进行合作谈判，也曾投票反对武汉新芯成立的必要性，原因是当时产业发展的环境与条件都不成熟，而且规模太小，还采取由中芯托管的方式，成功机会不高；不过，如今他认为环境、条件都成熟了， 因此积极推动武汉参与国家240亿美元存储器的计划。
中国科学院院士、西安电子科技大学副校长郝跃表示，他多年来与台湾半导体公司交流，对台湾地区从业人员的敬业态度印象深刻，这也是大陆产业界可以好好学习的。 郝跃也不讳言，大陆在大举投入半导体建设的同时，也要注意人才不足的问题。 郝跃早在2000年就投入氮化镓（GaN）半导体材料的研究，在没经费、没基础的情况下，自己做设备并成功开发产品，他带领的团队如今都是大陆半导体业的重要人才。
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