在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND快闪存储器中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极连结每一个NAND字串(NAND string)；从其布局可见，该芯片包含4个平面(plane)以及双面字元线开关/解码器(two-sided wordline switches/decoders)。

该存储器阵列的效率约57%，是因为相对较大的存储器与其他周边；而SK Hynix的36L与48L产品存储器阵列效率则分别为67.5%与64.0%。此趋势显示SK Hynix应该会为下一代芯片开发尺寸更小巧的设计。

三星(Samsung)以及东芝/WD (Toshiba/Western Digital)的64L 3D TLC NANS裸晶，有超过65%的存储器阵列效率；不过以上的存储器芯片尺寸以及功能则都差不多。

各家64L与72L 3D NAND快闪存储器单元阵列效率比较（来源：TechInsights）

SK Hynix 72L NAND快闪存储器的位元密度为3.55 Gbits/mm2，高于Samsung/WD之64L芯片；而美光/英特尔(Micron/Intel)的64L 3D NAND芯片是4种解决方案中位元密度最高的，主要是因为采用名为CuA (CMOS under the array)的独特砖式(title)布局。

64L与72L 3D NAND存储器芯片位元密度比较（来源：TechInsights）

在3D NAND存储器单元架构方面，SK Hynix芯片堆叠了总共82个闸极，包括选择器(selector)与虚设字元线(dummy wordlines，DWL)；我们知道有72个闸极是用于主动字元线单元，而最上方的三个闸极则是用于源极与汲极的选择器闸极(selector gates，SG)，剩余的7个闸极应该是用于DWL以及隔离闸极(isolation gates)。

在各家厂商的64L NAND元件中我们看到：

Samsung采用了总数71个闸极，其中有3个用于SG，4个用于DWL；Toshiba/WD产品的闸极总数为73个，其中7个用于SG，2个用于DWL；Micron/Intel产品的闸极总数为76个，其中2个用于SG，7个用于DWL。

垂直单元效率计算方法，是主动字元线的数量除以垂直堆叠闸极的总数；其结果就是该3D NAND存储器单元架构的流程效率。SK Hynix 72L产品的垂直单元效率为87.8%，Toshiba/WD的64L BiCS产品也是一样；Samsung的64L产品效率则为90.1%，而Micron/Intel的64L产品效率则为84.2%，如下图所示。

64L与72L 3D NAND存储器产品的垂直单元效率（来源：TechInsights）

SK Hynix先前的36L与48L产品是采用单步骤蚀刻制程来制作分别为43个与55个闸极总数的通道电洞(channel holes)；新一代的72L存储器单元则是采用两步骤蚀刻制程来制作通到电洞。在管线闸极上，较低的42个闸极以及较上方的40个闸极，分别是以两个不同的蚀刻步骤形成。而狭缝(slits)与子狭缝(sub-slits)则是以单步骤蚀刻形成，制程整合程序如下：

管线闸极铸模成形(下方部位)通道蚀刻(下方部位)牺牲层填入电洞；铸模成形(上方部位)；通道蚀刻(上方部位)；牺牲层移除；通道成形。

Micron/Intel的64L产品采用双堆叠NAND字串架构，在上部与下部堆叠之间有一个平板(plate)；而SK Hynix的72L产品则是采用两步骤蚀刻制程，而非双堆叠NAND字串，工程师必须要严密控制制程步骤，以避免上下部位的通道电洞未对齐；该电洞的尺寸在256 Gbit 72L产品约只有10纳米。