普渡大学Birck纳米技术中心的研究人员正在开发有望替代硅的新型半导体二维材料。 硅芯片的制造工艺正逼近其物理极限，为了满足摩尔定律的增长要求，必须要寻找新的材料去替代硅。普渡研究员Saptarshi Das说，他不认为硅能被单一的材料替代，但不同的材料可能能以混合的方式共存。
到目前为止，硅的替代材料包括了石墨烯（二维碳原子层）、二硫化钼 （MoS2）和Germanane(单原子层锗)。石墨烯的内在缺陷是能隙太小不适合用作晶体管，而MoS2和Germanane相对于石墨烯的优势有内在的能隙。普渡大学的新材料则是基于MoS2。
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