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大家都知道固态硬盘的速度快得惊人，但存储容量(以及价格)却似乎成为了它最大的“硬伤”。好消息是，通过所谓的“3D NAND”方案(基于现有的SSD技术)——在存储芯片的核心上堆叠更多的层位——英特尔和三星已经解决了这个问题。此外，新款三星850 EVO已经能够在U盘大小的外壳中，封装下120GB的存储容量。当然，大家的研究不会止步于此。
Crossbar(一家成立于2010年的初创企业)，已经在另一种替代品——“电阻式随机存储记忆体”(resistive random access memory,简称RRAM)上——投入了大量的时间和资金。
这是一种“非易失性”的随机存取器，可以在切断外接供电的情况下保存信息。相比之下，计算机上的DRAM内存会在断电后即丢失数据。
Crossbar的方法是将RRAM堆成一个立方体状的结构，并且在三个维度上展开。如此一来，在单芯片上提供1TB的存储容量也在理论上有了可能。
不过这么做也会有点问题，那就是“电流泄露”会造成功耗大幅增加，甚至导致整块“硬盘”根本无法使用。
巧妙的是，Crossbar采用了“多个并行传导路径来控制电流泄露，以限制阵列的最大规模和增加的功耗”的方式。
工程师将该技术称作“单晶体管驱动电子存储单元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell)，简称“1TnR”——其可以将高达2000个存储单元连结到一起。
Crossbar称，该公司已经验证过这项避免电流泄露的技术，这意味着我们距离实际用上高容量驱动器又进了一步。更重要的是，该设计可承受上亿次的使用周期，开关状态切换的延时也只有50ns不到。
最后，鉴于该公司并未透露有哪些“阿尔法客户”对这项技术感兴趣，因此在2015年年末之前，我们或许还无法在消费级零售市场见到相关产品。
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