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如果在未来我们的手机或电脑再也不用插在电源上，确保它们拥有能够整天使用的充足电力。你可以带着它们走入房间的那刻起，这些耗电设备就可以自动充电。这些都是梦想中的场景，但它是永远无法实现的白日梦吗？确切地说，当前所谓的无线充电功能并不准确，因为还有很多技术和难点有待研发和突破。
硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商宜普电源转换公司（EPC）于中国上海与功率管理工程师会面并讨论关于1）针对大于30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器； 及2）采用eGaN FET、120 A、少于10纳秒脉冲及占板面积小于3平方厘米的千瓦级激光驱动器。
我们诚挚邀请工程师莅临中国上海，出席我们于2018年6月26日（星期二）上午10时至10时50分、在1099号国展路上海世博展览馆1层2号展馆内举行的PCIM Asia 2018研讨会（电力转换与智能运动研讨会）的演讲。
届时，EPC公司的应用工程副总裁Michael de Rooij博士将分享针对大于30 W功率高度谐振无线功率接收器、内建同步整流FET的E类整流器的详情。我们推荐这个解决方案，为工程师展示在E类拓扑采用同步整流GaN FET开关器件比采用传统全桥肖特基二极管优胜很多。
EPC公司的应用工程总监John Glaser博士也将分享采用eGaN FET、120 A、少于10纳秒脉冲及占板面积小于3平方厘米的千瓦级激光驱动器。激光雷达（LiDAR）技术的一个主要应用是用于实时先进驾驶辅助系统（ADAS）及全自动汽车的导航系统及避过障碍物的技术。本研讨会讨论采用商用的单个eGaN FET的激光驱动器，可以在少于10纳秒内、于超过120 A峰值电流的激光二极管形成电流脉冲，其激光输入功率峰值超过4 kW。激光驱动器的占板面积小于3平方厘米。
宜普电源转换公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管就集成电路，其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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