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半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference（2009 ISSCC）”于09年2月9日（星期一）在美国旧金山拉开帷幕。受全球景气衰退的影响，预计今年参加ISSCC的人数为2200～2300名。比上年减少3成左右。
预计2009 ISSCC的论文采用数将比上年减少约10％，为200篇左右。此前受到景气后退影响的北美和欧洲的企业等的论文数量大幅减少，而亚洲的论文数量增加。从论文领域的比例来看，欧美具有较强优势的数据转换器和高性能数字领域的论文比例下降，低功耗数字和有线通信等亚洲具有较强优势的领域的论文比例有所提高。
半导体技术的微细化方面，今年将开发采用32nm工艺的逻辑LSI。美国英特尔不仅试制了使用32nm制造技术的291Mbit SRAM和等化电路，还计划发布面向32nm工艺的片上温度传感器。NAND闪存方面，3Xnm工艺的发表接连不断。比如，东芝和美国SanDisk将发布小于35nm工艺的32Gbit芯片（3bit/单元）。
另外，让人耳目一新的是能源相关的发表十分引人注目。美国麻省理工学院（MIT）将发表压电型环保发电元件的输出电量为原来4.2倍的电路技术。德国弗莱堡大学等将发表面向片上燃料电池的基础技术。
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