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瞬态抑制二极管与其它过压保护技术的对比

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什么是瞬态抑制二极管？

该产品通过截面积大于常规二极管的p-n结将电压限制在一定范围（称为“钳位”装置），可以将较大电流导向地面，因此不会对元件造成持续损坏。

瞬态抑制二极管通常用于保护传输或数据线路以及电子电路，使其免受雷击、感应负载开关和静电放电等引起的电气过压损害。

Littelfuse瞬态抑制二极管适用于多种电路保护应用，但主要应用于保护电信、工业设备、计算机和消费电子产品中的输入/输出接口。

Littelfuse瞬态抑制二极管的特性包括:

与其他二极管技术的对比:

工作特性的对比:

装置结构的对比:

肖特基二极管是通过将金属焊至半导体结上而形成。从电气角度而言，该二极管是通过多数载流子进行导电，在漏电流和正向偏压（VF）较低时能够快速响应。肖特基二极管广泛应用于高频电路。

齐纳二极管由重掺P-N半导体结制成。有两种物理效应可称之为齐纳态（齐纳效应和雪崩效应）。当P-N结上施加了很低的反向电压时，在量子效应下，P-N结将开始导电，这种现象称之为齐纳效应。当PN结上施加的反向电压大于5.5伏时将发生雪崩效应。发生雪崩效应时，所产生的电子空穴对将碰撞格栅。基于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电子电路中的基准电压源。

瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成，可提供浪涌保护。 PN结通常覆膜，以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。瞬态抑制二极管广泛用作电信、通用电子设备、数码消费电子产品的电路过压保护装置，可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护。

SPA表示硅保护阵列。该阵列集成了PN结、SCR或采用多引脚结构封装的其他硅保护结构。 SPA可用于需要多种保护的电信、通用电子设备、数码消费电子产品，提供对静电放电、雷击和EFT的综合保护。例如，它可用于HDMI、USB和以太网端口的ESD保护。

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