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当其他竞争者正在把控制器产品线往8位元和32位元移动集中之际，瑞萨（Renesas）电子则持续坚持提供完整涵盖8、16和32位元微控制器的产品线，针对16位元低功耗微控制器，瑞萨也有进一步的发展策略。
瑞萨电子MCU事业本部统括部长川下智惠（Norishige Kawashimo）表示，目前瑞萨依旧同时具有R8C、78K、RX、SuperH、V850等5种CPU架构的MCU产品线，其中R8C和78K核心针对低功耗市场应用，RX架构则是针对中阶MCU产品，而SuperH和V850核心则是锁定高阶MCU应用。尽管V850和78K这2款CPU核心先前属于NEC电子，在瑞萨与NEC合并、同时进一步提升MCU制程环境整合度的努力下，瑞萨可针对这5种不同CPU内嵌Flash存储器的架构，提供相适应最佳化的制程技术。
以R8C和78K架构为核心的16位元低功耗MCU为例，以前瑞萨的R8C架构是采用150纳米制程，藉由与NEC电子的合并效益，现在瑞萨可透过整合78K核心，将低功耗MCU内嵌Flash存储器的制程技术，提升到130纳米阶段，并且得以兼顾高效能和低功耗的设计。这款名为RL78整合核心的新世代16位元MCU架构，也能进一步涵盖8位元MCU市场。藉由整合低功耗核心MCU平台的出现，瑞萨也将从2011年开始陆续推出相关8～16位元的低功耗MCU产品。
川下智惠进一步指出，相较于以往采用150纳米制程的R8C架构，采用130纳米制程的新世代RL78整合核心MCU产品，就明显减少50％的尺寸和功耗，在在启用实时时钟（RTC）及低电压侦测（LVD）的条件下，作业状态只需要70μA/MHz的电流量，待机时间也只有0.7μA的电流量。
整体来看，在与NEC电子合并之后，瑞萨电子在MCU整合Flash存储器的制程技术上，有了更为精简的策略规划。目前针对RX、SuperH和V850等高效能CPU核心的MCU产品，瑞萨将从90纳米过渡到40纳米制程，预计40纳米制程的高效能MCU样品将在2012年公布。至于整合R8C和78K的RL78核心低功耗MCU系列，便以130纳米制程为主。藉由建立新的fab network，瑞萨要进一步有效降低生产成本，并强化因应市场持续变化的需求与趋势的能力。
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