MSP430G2553 flash操作例子-EDA365

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MSP430G2553 flash操作例子

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/* 实际适用于MSP430x2xx系列单片机，包含以下10个常用功能函数：

(1)初始化。Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg )：依据SMCLK频率计算设定Flash的时

钟的分频系数，靠Seg段号码确定计划操作的段起始地址。

(2)整段擦除。Flash_Erase()：段擦除函数。

(3)读字节。Flash_ReadChar(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字节的数据。

(4)读字。Flash_ReadWord(unsigned int Addr)：读取偏移地址Addr位置1个字的数据。

(5)读一串字节到RAM数组。Flash_ReadSeg(unsigned int Addr, unsigned int SegSize,char *

Array)：读取起始偏移地址为Addr，长度SegSize个字节数据到RAM的Array数组。

(6)直接写1个字节。Flash_Direct_WriteChar(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字节

的数据。

(7)直接写1个字。Flash_Direct_WriteWord(unsigned int Addr)：直接写偏移地址Addr位置1个字的数

据。

(8)备份后写1字节。Flash_Bak_WriteChar(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏

移地址Addr位置写1个字节的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）

(9)备份后写1个字。Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr)：先备份段内其他数据，擦写后，在偏

移地址Addr位置写1个字的数据，再还原段内其他数据。（仅限信息flash段，使用RAM备份）。

(10)读SegA专用函数。Flash_SegA_ReadChar(unsigned int Addr)：读取SegA段偏移地址Addr位置1

个字节的数据。

说明： 1、块写函数需要在RAM中调用函数指针来使用，本库函数未涉及

2、其他长字节的数据类型读写需使用结构体，本库函数未涉及

3、所有函数均针对无符号整型数据，如需使用有符号整型，需修改函数

4、对InfoA段单独处理，只有读字节函数Flash_SegA_ReadChar()，不提供擦写函数。

5、其他函数的段操作首地址SegAddr被Flash_Init()函数“限定”，不易发生误写 */

#include "MSP430G2553.h"

unsigned int SegAddr=0; //全局变量

unsigned int SegPre=0; //全局变量当前信息段

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_Init()

* 功能：对Flash时钟进行初始化设置

* 入口参数：Div：根据SMCLK频率计算的所需分频值，可设定为1-64

* 选择原则: SMCLK分频后,落在257kHz~476kHz

* Seg：段号，可设为"0"-"31"或”"A"、"B"、"C"、"D"。

* 出口参数：1：配置成功

* 0：配置失败

* 说明：操作Flash其他函数前，需要调用该初始化函数设置时钟分频和待操作段首地址。

* 其他函数中均不出现绝对地址，防止误操作。

* 范例： Flash_Init(3,'B' ) 3分频、对Info B段操作

******************************************************************************************************/

unsigned char Flash_Init(unsigned char Div,unsigned char Seg )

{

//-----设置Flash的时钟和分频，分频为恰好为最低位，直接用Div-1即可-----

if(Div<1) Div=1;

if(Div>64) Div=64;

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + Div-1; // 默认使用SMCLK，分频系数参数传入

//-----操作对象为主Flash段的情况，可通过512的倍数设置段起始地址-----

SegPre = Seg; //获取当前段

if (Seg <= 31) //判断是否处于主Flash段

{

SegAddr=0xFFFF-(Seg+1)*512+1; //计算段起始地址

return(1); //赋值成功后即可退出并返回成功标志”1“

}

//-----操作对象为信息Flash段的情况，穷举即可-----

switch(Seg) //判断是否处于信息Flash段

{

case 'A': case'a': SegAddr=0x10C0; break;

case 'B': case'b': SegAddr=0x1080; break;

case 'C': case'c': SegAddr=0x1040; break;

case 'D': case'd': SegAddr=0x1000; break;

default: SegAddr=0x20FF; return(0); //0x20FF地址为空白区，保护Flash

}

return(1);

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_Erase()

* 功能：擦除Flash的一个数据块，擦写段由初始化函数 Flash_Init()的SegAddr变量决定

* 入口参数：无

* 出口参数：无

* 说明：函数中给出了擦除InfoFlashA段的操作代码（已注释掉了），但不建议初学者使用。

* 范例：无

******************************************************************************************************/

void Flash_Erase()

{

unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)SegAddr; //Initialize Flash pointer

FCTL1 = FWKEY + ERASE; //段擦除模式

FCTL3 = FWKEY; //解锁

//FCTL3 = FWKEY+LOCKA; //对InfoFlashA也解锁

_DINT();

*Ptr_SegAddr = 0; //擦除待操作段

while(FCTL3&BUSY); //Busy

_EINT();

FCTL1 = FWKEY; //取消擦模式

FCTL3 = FWKEY+LOCK; //上锁

// FCTL3 = FWKEY+LOCK+LOCKA; //对InfoFlashA也上锁

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_ReadChar()

* 功能：从Flash中读取一个字节

* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址

* 出口参数：Data：读回的数据；当偏移溢出时返回0

* 说明：无

* 范例：无

******************************************************************************************************/

unsigned char Flash_ReadChar (unsigned int Addr)

{

unsigned char Data=0;

unsigned int *Ptr_SegAddr,temp=0; //Segment pointer

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )

return 0;

temp =SegAddr+Addr;

Ptr_SegAddr =(void*)temp; //initialize Flash pointer

Data=*(Ptr_SegAddr);

return(Data);

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_ReadWord()

* 功能：从FlashROM读回一个整型变量，地址应为偶数

* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数

* 出口参数：Data：读回的整型变量值；当偏移溢出时返回0

* 说明：无

* 范例：无

******************************************************************************************************/

unsigned int Flash_ReadWord (unsigned int Addr)

{

unsigned int *Ptr_SegAddr;

unsigned int temp=0,Data=0; //Segment pointer

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )

return 0;

temp = SegAddr+Addr;

Ptr_SegAddr = (void *)temp; //Initialize Flash pointer

Data=*(Ptr_SegAddr);

return(Data);

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_ReadSeg()

* 功能：将Flash段内一串数据拷贝到RAM的Array数组

* 入口参数：Addr：起始偏移地址

* SegSize：数据个数

* *Array：RAM中数组的头指针

* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出；1:正常工作

* 说明：无

* 范例：无

******************************************************************************************************/

char Flash_ReadSeg(unsigned int Addr, unsigned int SegSize,unsigned char * Array)

{

unsigned int i=0,temp=0;

unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&(Addr+SegSize)>512) ||(SegPre>31&&(Addr+SegSize)>64) )

return 0;

for(i=0;i

{

temp=SegAddr+Addr+i; //防止编译器处理指针偏移出错

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

Array[i]=*Ptr_SegAddr; //指针移位方法赋值

}

return 1;

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_Direct_WriteChar()

* 功能：强行向Flash中写入一个字节(Char型变量)，而不管是否为空

* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址

Data:待写入的数据

* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出；1:正常工作

* 范例：Flash_Direct_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元

Flash_Direct_WriteChar(1,a);将整型变量a写入1单元

******************************************************************************************************/

char Flash_Direct_WriteChar (unsigned int Addr,unsigned char Data)

{

unsigned int temp=0;

unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )

return 0;

temp = SegAddr+Addr;

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

FCTL1=FWKEY+WRT; //正常写状态

FCTL3=FWKEY; //解除锁定

// FCTL3=FWKEY+LOCKA; //解除锁定（包括A段）

_DINT(); //关总中断

*Ptr_SegAddr=Data; //指定地址，写1字节

while(FCTL3&BUSY); //等待操作完成

_EINT(); //开总中断

FCTL1=FWKEY; //退出写状态

FCTL3=FWKEY+LOCK; //恢复锁定，保护数据

// FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA; //恢复锁定，保护数据（包括A段）

return 1;

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_Direct_WriteWord()

* 功能：强行向Flash中写入一个字型变量，而不管存储位置是否事先擦除

* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址，仍按字节计算，需为偶数

Data:待写入的数据

* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出；1:正常工作

* 范例：Flash_Direct_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元

Flash_Direct_WriteWord(2,a);将整型变量a写入2单元

******************************************************************************************************/

char Flash_Direct_WriteWord (unsigned int Addr,unsigned int Data)

{

unsigned int temp=0;

unsigned int *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>=64) )

return 0;

temp=SegAddr+Addr;

Ptr_SegAddr = (unsigned int *)temp; //Initialize Flash pointer

FCTL1=FWKEY+WRT; //正常写状态

FCTL3=FWKEY; //解除锁定

// FCTL3=FWKEY+LOCKA; //解除锁定（包括A段）

_DINT(); //关总中断

*Ptr_SegAddr=Data; //写16位字

while(FCTL3&BUSY); //等待操作完成

_EINT(); //开总中断

FCTL1=FWKEY; //退出写状态

FCTL3=FWKEY+LOCK; //恢复锁定，保护数据

// FCTL3=FWKEY+LOCK+LOCKA; //恢复锁定，保护数据（包括A段）

return 1;

}

/********************************************************************************************* *********

* 名称：Flash_Bak_WriteChar()

* 功能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字节(Char型变量)

* 入口参数：Addr:存放数据的地址

Data:待写入的数据

* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出；1:正常工作

* 范例：Flash_Bak_WriteChar(0,123);将常数123写入0单元

Flash_Bak_WriteChar(1,a);将变量a写入1单元

******************************************************************************************************/

char Flash_Bak_WriteChar (unsigned char Addr,unsigned char Data)

{

unsigned int temp=0;

unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

unsigned char BackupArray[64]; //开辟64字节的临时RAM备份Seg

unsigned char i = 0;

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) || (SegPre>31&&Addr>64) )

return 0;

for(i=0;i<64;i++)

{

temp=SegAddr+i;

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

BackupArray[i]=*Ptr_SegAddr; //指针移位方法赋值

}

Flash_Erase(); //擦除待操作段

FCTL1 = FWKEY + WRT; //正常写入（非块写）

FCTL3 = FWKEY ; //解锁

// FCTL3 = FWKEY ; //解锁（含A段）

for (i=0; i<64; i++)

{

_DINT(); //关总中断

if(i==Addr)

{

temp=SegAddr+Addr;

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

*Ptr_SegAddr =Data; //写数据

while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成

}

else

{

temp=SegAddr+i;

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

*Ptr_SegAddr = BackupArray[i]; //恢复Flash内的其他数据

while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成

}

_EINT(); //开总中断

}

FCTL1 = FWKEY; //清除写

FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁

// FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁（含A段）

return 1;

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_Bak_WriteWord()

* 功能：不破坏段内其他数据，向Flash中写入一个字(int型变量)

* 入口参数：Addr:存放数据的地址，仍然是以字节为单位的偏移地址，需为偶数

Data:待写入的数据

* 出口参数：返回出错信息 0:偏移溢出；1:正常工作

* 说明：MSP430单片机可以对16位数据直接操作，所以为了加快速度

* 函数中均直接对word进行操作。

* 范例：Flash_Bak_WriteWord(0,123);将常数123写入0单元

Flash_Bak_WriteWord(1,a);将变量a写入1单元

******************************************************************************************************/

char Flash_Bak_WriteWord(unsigned int Addr,unsigned int Data)

{

unsigned int *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

Ptr_SegAddr = (unsigned int *)SegAddr; //Initialize Flash pointer

//-----注意：以下操作数全部为word16位数据类型-----

unsigned int BackupArray[32]; //开辟32字(64字节）的临时RAM备份Seg

unsigned int i = 0;

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if((SegPre<=31&&Addr>=512) ||(SegPre>31&&Addr>64) )

return 0;

for(i=0;i<32;i++) //word型占两个字节

{

BackupArray[i]= *(Ptr_SegAddr+i); //指针移位方法对字赋值

}

Flash_Erase(); //擦除待操作段

FCTL1 = FWKEY + WRT; //正常写入（非块写）

FCTL3 = FWKEY; //解锁

// FCTL3 = FWKEY+LOCKA; //解锁（含A段）

for (i=0; i<32; i++) //word型占两个字节，需跳过奇数地址

{

_DINT(); //关总中断

if(i==Addr)

{

*(Ptr_SegAddr+Addr) =Data; //写字型数据

while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成

}

else

{

*(Ptr_SegAddr+i)= BackupArray[i]; //恢复Flash内的其他数据，按字恢复

while(FCTL3&BUSY); //等待写操作完成

}

_EINT(); //开总中断

}

FCTL1 = FWKEY; //清除写

FCTL3 = FWKEY + LOCK; //上锁

// FCTL3 = FWKEY + LOCK+LOCKA; //上锁（含LOCKA）

return 1;

}

/******************************************************************************************************

* 名称：Flash_SegA_ReadChar()

* 功能：从InfoA中读取一个字节

* 入口参数：Addr:存放数据的偏移地址

* 出口参数：Data：读回的数据;偏移溢出时，返回 0

* 说明：无

* 范例：无

******************************************************************************************************/

unsigned char Flash_SegA_ReadChar (unsigned int Addr)

{

unsigned int temp=0;

unsigned char Data=0;

//----- 段范围限定。为了内存管理安全，只允许本段操作-----

if(Addr>=64)

return 0;

unsigned char *Ptr_SegAddr; //Segment pointer

temp = 0x10c0+Addr;

Ptr_SegAddr = (unsigned char *)temp; //Initialize Flash pointer

Data=*Ptr_SegAddr; //直接为InfoA首地址，未使用全局变量SegAddr

return(Data);

}

unsigned char gTemp=0;

unsigned char gA;

void main()

{

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关狗

DCOCTL = CALDCO_8MHZ; // 先设DCO为8MHz

BCSCTL1 = CALBC1_8MHZ;

BCSCTL2 |= DIVM_1+DIVS_2; // 2分频后到MCLK为4MHz ，4分频后到SMCLK为2MHz

Flash_Init(6,'B' ); //6分频后为333.3kHz, 操作B信息段

gTemp=Flash_ReadChar(0); //读取

Flash_Bak_WriteChar (0,0x23); //写入

gTemp=Flash_ReadChar(0); //再读取

gA=gTemp;

}

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