3.1 仿真分析

　　在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：

　　主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而ESD脉冲通常为纳秒级，其上升时间为十几纳秒。初始状态，IC处于悬空状态下，当个正ESD电压出现在VDD电源线上，而VSS相对为0时，Vx通过RC开始充电，由于其充电常数T比VDD的上升时间大的多，致使Vx无法跟随VDD的变化，从而使P0管打开，N0管关闭，Vg电压迅速上升，N1大管开启，从而提供了一个从VDD到VSS的低阻抗大电流泄放通道并对内部的VDD与VSS有一个电压钳位作用，从而有效地保护了内部电路。 在正常上电时，因为正常的上电时间为毫秒级，所以Vx的充电可以跟随VDD变化，当上升到一定电压时，N0管开启，P0管一直关闭，Vg=0，N1管一直关断无效。

　　对上述例子中图2结构的具体仿真见图5、图6。

　　从上述仿真分析及实际的ESD结果来看，该结构本身首先必须要有一定的健壮性，其自身的健壮性则与以下两方面有关：

　　(1)该结构的逻辑设计，即各管子尺寸的设计，以保证该结构在正常上电时能完全关断，使电路正常工作，当ESD发生时能有效开启，从而保护内部结构。通常T=RC的值的设计要在100ns-1000ns之间，R可由倒比管或阱电阻实现，而C可直接由MOS电容构成，P0、N0管的宽长比W/L不用很大，其沟长比内部最小沟长稍大，该结构因为承受了ESD大电流泄放通道的任务，N1管的宽长比4W/L要比较大，在不影响面积的情况下尽可能大，管子沟长比内部最小沟长大。

　　(2)该结构的版图设计非常关键，其设计不当就可能导致自身的损坏。特别是N1管子版图设计，其漏区孔距栅要有一定距离，即有一定的压舱(Ballast)电阻时电流开启泄放更均匀。

　　3.2 具体设计及结果

　　上述例子中，主要是版图的设计不当造成在ESD发生时自身结构的损坏。经过分析，对该版图结构做了一些修改优化。

　　原因：针对上述理论分析及例子中实际的击穿点，该结构在1000V即被击穿的原因主要是N1管的漏区孔距栅的距离d太小所致，d=1.35μm;

　　目标：改动尽量少的版次达到全面提升该电路的ESD性能的目标;

　　方案：N1管的L修改为1.2μm，d修改为3μm，改动的版次为多晶版和孔版;

　　结果：I/O-VDD、I/O/-VSS、I/O-I/O模式下，最低的P95可达到2.50kV，P50、P51、P54、P57、P84可达2.8kV，其余的I/O在3.1kV时仍然通过;在VDD-VSS模式下，当ESD加+3.40kV时，VDD-VSS间短路，所以该模式下抗ESD电压为3.1kV。

　　可见，通过修改优化VDD-VSS钳位结构，其图2结构自身的抗ESD健壮性大大增强，VDD-VSS的抗ESD能力提高到3kV以上，其余I/O也得到了进一步的提升，使该电路总体ESD性能提高到2.20kV以上，满足了民品电路的ESD性能要求。要进一步提高该电路的ESD性能，需要对该结构继续优化，如再增大N1管的漏区孔距栅的距离d及W/L等，其他I/O口的GGNMOS管也需要相应的优化修改，但其总面积可能会相应增加。

　　4 VDD-VSS两种电压钳位结构的比较

　　图8为一种常见的全芯片ESD保护结构的设计，左边为一个输入PAD，右边为一个输出PAD，最右边的NMOS管则是常规CMOS工艺电路中最常见的VDD-VSS电压钳位结构的设计。其设计要注意管子本身尺寸的逻辑设计，也要注意其版图的详细规则设计。它不属于电压检测电路。在电路正常工作时，相当于一个反向二极管;当有ESD发生时，则NMOS管漏区的PN结反向击穿，寄生的NPN导通从而泄放大电流并使VDD-VSS间的电压钳位。

　　图9中最右边的VDD-VSS电压钳位结构的设计则为一种ESD瞬态检测电路，该电路一种详细的设计方案即为图2的结构设计。具体作用上面已经进行了详细的分析阐述。主要是比较一下图8、图9两种VDD-VSS电压钳位结构的优劣。

　　在ESD发生时，两个结构对VDD-VSS都有电压钳位作用，关键是各自电流的泄放能力的差异。一般管子的正向导通比反向击穿能力耐更高的ESD电压，承受更大、更低阻抗的ESD电流，且ESD电流泄放更均匀。在亚微米CMOS IC中，VDD-VSS直接的GGNMOS大管可能不足以耐较高的ESD电压，该结构更有利于ESD性能的提升，同时其版图设计面积也更大。只有在亚微米以下的CMOS电路的设计中，才需要考虑。