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记录表中A1在上升沿的各参数全部为0，而下降沿除了t≈0其他参数出现了较小数值。A3的上升沿和下降沿，各参数都在迅速增大。A5以及A7 ～A11的上升沿和下降沿，有的参数趋于稳定，有的参数继续增大。各参数的演变说明如下。
⑴竞争冒险的演变，经历萌生期、发展期和成熟期。A1是萌生期，Vp-p≈0.06V，干扰脉冲雏形开始生成;A3是发展期，Vp-p≈0.7～0.9V小于开门电平;A5～A11是成熟期，Vp-p≈2.7～3.2V大于开门电平。表明萌生期、发展期是安全期，干扰脉冲不具危害，而成熟期是危险期，干扰脉冲存在极大危害性。
⑵关于t和Vp-p：在萌生期t≈0，Vp-p≠0;在发展期t、Vp-p都在迅速壮大;在成熟期t、Vp-p继续增大。表明t大则Vp-p大，t、Vp-p之间存在一定的比例关系。
(3) 关于t和tp：除了萌生期t≈0外，在发展期和成熟期，t的上升沿/下降沿变化范围45～100ns/65～115ns，tp的上升沿/下降沿变化范围50～105ns /50～90ns，表明t与tp大致相等。
(4) 关于Vp1/Vp0：上升沿1.6V/3.0V～2.1V/3.3V，下降沿1.6V/1.6V～3.8V/4.1V，表明不同期的干扰脉冲幅度大小不等、状态位置不同。
5 竞争冒险的抑制措施设置
揭秘竞争冒险的成因，旨在竞争冒险的研究和应用。由记录表知道，A3的Vp-p小于开门电平，A5的Vp-p大于开门电平，所以，在发展期和成熟期之间设置竞争冒险抑制措施较为适宜。因此，竞争冒险抑制措施。比如封锁脉冲、滤波电容、修改逻辑等方法都可抑制或消总有两面性，竞争冒险也不例外，已有文献报道，将竞争冒险用于集成电路设计取得了满意效果[6]。
6 结语
竞争冒险的产生与信号频率无关;时间延迟t大则干扰脉冲幅度Vp-p大，时间延迟t与干扰脉冲宽度tp大致相等，不同期的干扰脉冲幅度大小不等，状态位置不同;时间延迟、过渡时间、逻辑关系和延迟信号相位，构成竞争冒险的产生条件。当电路满足产生条件时，则一定产生干扰脉冲。竞争冒险的演变过程，经历萌生期、发展期和成熟期。萌生期、发展期是安全期，干扰脉冲不具危害，而成熟期是危险期，干扰脉冲存在极大危害性。竞争冒险抑制措施，建议电路从第四级门开始设置。为对干扰脉冲的全面认识，本文同时也给出了不同时期干扰脉冲的宽度tp、状态位置Vp1/Vp0以及变化范围。
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