1 时钟馈通误差分析
时钟馈通误差是一个复杂的物理现象，在这里以第二代开关电流存储单元为例进行分析。
图1为存储单元，图2为开关断开时的电荷注入示意图。
对图1所示的存储单元，Ms的沟道电荷可以近似地描述为：
其中：Cax是栅氧化层单位面积电容；wseff和Lseff分别是Ms的有效沟道宽度和长度；Vgs是Ms的栅一源电压；VT是Ms的阈值电压，由式(2)给出：
式中：2 |φF|是强反型层表面势垒；r是体阈值参数；VT0是Vgs=0时的阈值电压。
一般情况下，1 VVgs3．5 V，因此可以得到以下近似关系：
将式(3)代入式(1)，得到注入存储电容的沟道电荷为：
其中：aq表示沟道电荷注入存储电容的分配系数，典型值为：aq=1／2。由栅极扩散覆盖电容Co1，注入存储电容的电荷为：
根据式(4)和式(5)司得整个注入电荷的总量为：
式中：mi=ii／j,称为调制指数。将式(9)代入式(8)，得：
2 传输误差分析
开关电流电路属于电流模式电路，其基本结构的等效电路如图3所示。
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