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这种基准电压源基于双极晶体管的温度特性设计，但输出电压可以低至几毫伏。它适用于超低电压电路，特别是阈值必须小于常规带隙电压 (约 1.2V) 的比较器应用。
下图所示为LM10的核心电路，同正常带隙基准电压源相似，其中结合了与温度成正比和成反比的元件，以获得恒定的200mV基准电压。分数带隙基准电压源通常使用∆VBE产生一个与温度成正比的电流，使用VBE产生一个与温度成反比的电流。二者以适当的比例在一个电阻元件中合并，以产生不随温度变化的电压。电阻大小可以更改，从而改变基准电压而不影响温度特性。这与传统带隙电路的不同之处在于，分数带隙电路合并电流，而统电路倾向于合并电压，通常是基极-发射极电压和具有相反 TC 的 I•R。
像LM10电路这样的分数带隙基准电压源在某些情况下同样是基于减法。LT6650具有400mV的此类基准电压，并且配有一个放大器。因此，可以通过改变放大器的增益来改变基准电压，并提供一个缓冲输出。使用这种简单电路可以产生低于电源电压0.4V至几毫伏的任何输出电压。LT6700(图7)和LT6703是集成度更高的解决方案，其将400mV基准电压源与比较器相结合，可用作电压监控器或窗口比较器。400mV基准电压源可以监控小输入信号，从而降低监控电路的复杂性；它还能监控采用非常低电源电压工作的电路元件。如果阈值较大，可以添加一个简单的电阻分压器(图8)。这些产品均采用小尺寸封装(SOT23)，功耗很低(低于 10μA)，支持宽电源范围 (1.4V 至 18V)。此外，LT6700 提供 2mm x 3mm DFN 封装，LT6703 提供 2mm x 2mm DFN 封装。
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