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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布，其NCP1081和NCP1083集成以太网供电用电设备(PoE-PD)/直流-直流(DC-DC)转换器控制器已获证明，符合即将推出的大功率通信应用的IEEE802.3at标准。这两款器件不仅通过IEEE802.3af标准测试，还获美国新罕布什尔大学互操作性实验室(UNH-IOL)证明符合最新的包含两个事件物理层分类测试的IEEE802.3at (D3.1) 草案标准。UNH的测试确认这些器件支持市场上符合PoE+标准的平台，并符合无线局域网(WLAN)接入点、WiMAX、工业和互联网协定(IP)相机不断演进的大功率要求。
安森美半导体PoE-PD产品市场营销经理Koen Geirnaert说：“预期IEEE802.3at标准的未来变更不会导致PoE-PD硅片有所变化。因此，NCP1081和NCP1083应该会符合最终的IEEE802.3at标准。这些器件将令业界先导厂商将基于PoE+标准的平台推出市场。”
器件特性
安森美半导体的集成PoE-PD产品系列有4款器件。NCP1081和NCP1083符合IEEE 802.3at (D3.1) 草案标准的应用提供达25.5瓦(W)的功率电平，并为专有的大功率PoE应用提供达40 W的功率电平。NCP1080和NCP1082则提供符合IEEE802.3at标准的功率电平。NCP1082和NCP1083还能够通过辅助并行电源提供功率。
NCP1080/1/2/3引脚兼容，采用TSSOP-EP 20引脚封装。这特性使客户能够轻易地在不同平台上组合匹配不同的PoE功能。
这PoE-PD产品系列采用了安森美半导体符合汽车应用认证的高压SmartPower工艺，与其它集成型PoE-PD/DC-DC转换器控制器相比，提供优异的线缆静电放电(ESD)和浪涌保护电平。这些PoE-PD控制器具有低导通阻抗(Ron)和-40°C至85°C的扩展温度范围，并在达150°C结温下能够完整工作，即使在极端的环境下，也能实现创纪录的功率电平。
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